[發(fā)明專利]一種混合型氧化物薄膜晶體管及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010111967.9
• 申請日: 2010-02-22
• 公開（公告）號: CN102163691A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 馮佳涵;張群
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 吳桂琴

1.一種混合型氧化物薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管采用有機介質層與無機溝道層的混合結構，由聚甲基丙烯酸甲酯有機介質層、銦鋅氧化物無機溝道層、柵電極、源電極和漏電極組成。

2.根據(jù)權利要求1所述的混合型氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述的聚甲基丙烯酸甲酯其分子式為[CH₂C(CH₃)(CO₂CH₃)]_n，結構式為：

3.根據(jù)權利要求1所述的混合型氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述的有機介質層與無機溝道層的可見光區(qū)平均透射率大于80％。

4.權利要求1所述的混合型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

1)采用玻璃為基板；

2)用銦鋅合金或銦鋅氧化物靶材，在室溫條件下利用磁控濺射技術，制備銦鋅氧化物半導體薄膜作為溝道層；

3)用有機物聚甲基丙烯酸甲酯，溶于丙酮，通過浸漬提拉法制備有機介質層；

4)通過真空蒸發(fā)法制備柵電極、源電極和漏電極。

5.按權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟1)的基板溫度為0～50℃。

6.按權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟2)中，銦鋅合金靶或銦鋅氧化物靶中In和Zn的原子比在0.5～2.0范圍內變化。

7.按權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟2)中，通過可變氣導閥將O₂和Ar氣體通入反應室，控制O₂反應氣體的分壓為4.5～5.8×10^-2Pa，工作壓強為1.0～3.0×10^-1Pa；磁控濺射電流為100～180mA，濺射電壓為300～400V，濺射時間為5～15分鐘。

8.按權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟3)中，將沉積有溝道層的樣品勻速浸入聚甲基丙烯酸甲酯有機溶液，靜置0.5～1.0min，勻速提拉起后，在大氣退火爐中烘烤10～30min或將樣品浸入所述有機溶液再提拉1～3次，每次提拉后烘烤5～20min，最后一次提拉后烘烤20～50min；所述烘烤溫度低于100℃。

9.根據(jù)權利要求4所述方法，其特征在于，所述制備方法中，整體流程工藝溫度為80100℃。

10.根據(jù)權利要求4所述方法，其特征在于，所屬步驟4)中，采用金屬鋁制備電極。