[發明專利]無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法無效
| 申請號： | 201010111497.6 | 申請日： | 2010-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN101820031A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發明（設計）人： | 陳文仁;林群福 | 申請（專利權）人： | 昆山正富機械工業有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 215332 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 無粘接劑 活性劑 銅銦鎵硒 光吸收 預制 制造 方法 | ||
1.一種無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，用以在非真空下在鉬層上形成均勻光吸收預制層，該方法包括：
(1)依據配方比例，調配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成第一和第二含銅銦鎵硒和/或硫混合粉末；
(2)將第一含銅銦鎵硒和/或硫混合粉末以原始VIA元素比例，再添加額外VIA族元素粉末至該原始混合粉末中，并進行混合以形成第三含銅銦鎵硒和/或硫混合粉末；
(3)將第二和第三含銅銦鎵硒和/或硫混合粉末添加易揮發溶劑以納米研磨機分別研磨成第一和第二銅銦鎵硒和/或硫漿料；
(4)將第一銅銦鎵硒和/或硫漿料涂布在鉬層上，形成第一銅銦鎵硒和/或硫層；
(5)將第二銅銦鎵硒和/或硫漿料涂布在第一銅銦鎵硒和/或硫層上形成第二銅銦鎵硒和/或硫層；
(6)軟烤使溶劑揮發形成銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層。
2.根據權利要求1所述的無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，其特征在于所述IB族元素包括銅。
3.根據權利要求1所述的無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，其特征在于所述IIIA族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料。
4.根據權利要求1所述的無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，其特征在于所述VI族元素可為硒或硫或硒硫混合材料。
5.根據權利要求1所述的無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，其特征在于所述溶劑包括醇類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。
6.根據權利要求1所述的無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，其特征在于所述第一和第二含銅銦鎵硒和/或硫混合粉末的IB∶IIIA∶VI元素的摩爾比例＝1.0∶1.0∶2.0。
7.根據權利要求1所述的無粘接劑及活性劑的銅銦鎵硒和/或硫光吸收預制層制造方法，其特征在于所述第三含銅銦鎵硒和/或硫混合粉末的IB∶IIIA∶VI元素的摩爾比例＝1.0∶1.0∶X，其中X介于2.0～4.0。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
