[發(fā)明專利]多段式硫化鎘薄膜沉積方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010111481.5
• 申請日: 2010-02-11
• 公開（公告）號: CN101840960A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林群福;陳文仁;楊益郎
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山正富機械工業(yè)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0336
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于至少包含以下步驟：

步驟一：將一含有光吸收層的基板置于一具有硫離子及第一鎘離子含量的化學(xué)浴中，以在該基板的光吸收層上沉積一第一硫化鎘膜；以及

步驟二：再將上述基板置于一具有硫離子及第二鎘離子含量的另一化學(xué)浴中，以在該第一硫化鎘膜上沉積一第二硫化鎘膜，其中該第一鎘離子含量大于該第二鎘離子含量，以使該第二硫化鎘膜中的鎘離子濃度與第一硫化鎘膜的鎘離子濃度的差異在0.003M以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中在步驟一中，利用含硫化合物及含鎘化合物備置該化學(xué)浴，并將該化學(xué)浴調(diào)整為堿性。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中所述的利用濃度20至30％的氨水調(diào)整該化學(xué)浴的pH值介于8至11。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其更進一步于該化學(xué)浴中添加緩沖劑及復(fù)合劑，且加熱該化學(xué)浴的溫度介于60至90℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中在步驟一中，該第一鎘離子含量介于0.005至0.05摩爾/升。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中所述的在步驟二中，利用含硫化合物及含鎘化合物備置該另一化學(xué)浴，并將該另一化學(xué)浴調(diào)整為堿性，且該第二鎘離子含量介于0.0001至0.005摩爾/升。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中利用濃度20至30％的氨水將另一該化學(xué)浴的pH值介于8至11。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其更進一步在該另一化學(xué)浴中添加緩沖劑及復(fù)合劑，且加熱該另一化學(xué)浴的溫度介于60至90℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中所述的含硫化合物為硫脲、硫化乙酰胺或硫酸鈉；該含鎘化合物為氯化鎘、硫酸鎘硝酸鎘、醋酸鎘或碘化鎘。

10.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法所制成的多層狀的硫化鎘薄膜。