[發(fā)明專利]一種包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010111331.4 | 申請日： | 2010-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN102142412A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王世鈺;呂佳伶;陳彥宇;劉玉蓮;盧道政 | 申請（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 包含 環(huán)繞 具有 靜電 放電 容忍 輸入 輸出 電路 | ||
1.一種包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于其包括：
一半導(dǎo)體主體，具有一第一導(dǎo)電類型；
一接觸墊在該半導(dǎo)體主體上；
一環(huán)繞井在該半導(dǎo)體主體中，與該接觸墊耦接且具有一第二導(dǎo)電類型，該環(huán)繞井環(huán)繞于該半導(dǎo)體主體中的一區(qū)域；以及
一靜電放電電路在該半導(dǎo)體主體中的該區(qū)域內(nèi)，包括一二極管與該接觸墊耦接，及一晶體管適用于與一參考電壓耦接，以在該半導(dǎo)體主體的一放電區(qū)域中提供一介于該接觸墊與該參考電壓之間的放電電流路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于包括：
一內(nèi)部井在該半導(dǎo)體主體中的該區(qū)域內(nèi)，且具有該第二導(dǎo)電類型；
該二極管的一第一端點，包括一摻雜區(qū)域在該內(nèi)部井中，具有該第一導(dǎo)電類型，該第一端點與該接觸墊耦接；
該二極管的一第二端點，包括一摻雜區(qū)域在該內(nèi)部井中，具有該第二導(dǎo)電類型；
該晶體管的一源極及一漏極在該主體的該區(qū)域內(nèi)，具有該第二導(dǎo)電類型；
一主體端點在該主體中，具有該第一導(dǎo)電類型在該區(qū)域內(nèi)，該主體端點適用于與該參考電壓及該晶體管的該源極耦接；
一偏壓端點在該主體中，具有該第二導(dǎo)電類型在該區(qū)域內(nèi)介于該內(nèi)部井與該漏極之間，該偏壓端點與一電壓源耦接；以及
一內(nèi)連接在該主體中且將該二極管的該第二端點與該晶體管的該漏極耦接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于其中所述的主體端點、該源極及該漏極具有深度，而該環(huán)繞井具有一環(huán)繞井深度，其遠(yuǎn)超過該主體端點、該源極及該漏極至少一者的深度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于其中所述的主體端點、該源極及該漏極具有深度，而該環(huán)繞井具有一環(huán)繞井深度，其為該主體端點、該源極及該漏極至少一者的深度的二倍到十倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于包括一環(huán)繞井溝渠絕緣體在該主體中介于該環(huán)繞井與該區(qū)域之間，且具有一環(huán)繞溝渠深度，該環(huán)繞井在該主體中具有一深度是大于該環(huán)繞溝渠深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于包括一內(nèi)部溝渠絕緣體在該主體中介于該內(nèi)部井與該漏極之間，且具有一內(nèi)部溝渠深度，該漏極在該主體中具有一深度是小于該內(nèi)部溝渠深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于其中所述的區(qū)域包括一第一部分及一第二部分，且包括：
一內(nèi)部溝渠絕緣體在該主體中介于該區(qū)域的該第一部分與該第二部分之間；
一環(huán)繞井溝渠絕緣體在該主體中介于該環(huán)繞井與該區(qū)域之間，且具有一環(huán)繞溝渠深度，該環(huán)繞井在該主體中具有一深度是大于該環(huán)繞溝渠深度；
一內(nèi)部井在該主體中的該區(qū)域的該第一部分內(nèi)，且具有該第二導(dǎo)電類型，該內(nèi)部井在該主體中具有一深度是大于該環(huán)繞溝渠深度；
該二極管的一第一端點，包括一摻雜區(qū)域在該內(nèi)部井中，具有該第一導(dǎo)電類型，該第一端點與該接觸墊耦接；
該二極管的一第二端點，包括一摻雜區(qū)域在該內(nèi)部井中，具有該第二導(dǎo)電類型；
該晶體管的一源極及一漏極在該主體的該區(qū)域的該第二部分內(nèi)，具有該第二導(dǎo)電類型；
一主體端點在該主體中，具有該第一導(dǎo)電類型在該區(qū)域的該第二部分內(nèi)，該主體端點適用于與該參考電壓及該晶體管的該源極耦接；
一偏壓端點在該主體中，具有該第二導(dǎo)電類型在該區(qū)域內(nèi)介于該第一部分與該第二部分之間，該偏壓端點適用于與一電壓源耦接；以及
該二極管的該第二端點與該晶體管的該漏極耦接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路置，其特征在于其中所述的漏極是通過一第二場效應(yīng)晶體管與該二極管的該第二端點耦接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于其中所述的晶體管具有一柵極適用于與該參考電壓耦接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含環(huán)繞井的具有靜電放電容忍的輸入/輸出墊電路，其特征在于其中所述的晶體管包含一場晶體管。
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