[發明專利]稀土類磁鐵

無效

• 申請號: 201010111259.5
• 申請日: 2010-02-02
• 公開（公告）號: CN101794651A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 鈴木啟幸;今川尊雄;佐通祐一;小室又洋
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02;B22F1/00;B22F3/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

技術領域

本發明涉及稀土類磁鐵及其制造方法。

背景技術

在燒結體上附著鏑(Dy)、鋱(Tb)及其化合物后，沿結晶晶粒邊界熱擴散的磁鐵與在既存的母相中同樣添加了Dy、Tb的磁鐵相比，能夠抑制用于高矯頑力(Hc)化的Dy、Tb的使用量，且能夠維持高的剩余磁通密度(Br)。作為利用來自這樣的磁鐵表面的Dy、Tb及其化合物的晶界擴散技術的磁鐵的目前的例子，在專利文獻1中記載有利用Dy的蒸氣壓低，通過蒸鍍使Dy附著于磁鐵體表面的磁鐵，在專利文獻2中記載有在燒結體上涂敷Dy-F漿料且進行晶界擴散而成的燒結磁鐵，另外，在專利文獻3中記載有在磁鐵體及磁粉上涂敷Dy-F、Tb-F的溶膠凝膠狀態的處理液且通過干燥而使溶劑附著的磁鐵，它們的特征均為高矯頑力、高剩余磁通密度。另外，在專利文獻4中記載有對通過Dy-F、Tb-F的處理液處理的各向同性磁粉進行室溫成形的磁鐵，其特征為生產率高的高矯頑力磁鐵。

專利文獻1：特開昭61-264157號公報

專利文獻2：WO2006-043348

專利文獻3：特開2006-66853號公報

專利文獻4：特開2007-281433號公報

發明內容

制作磁鐵時，在燒結體上附著鏑(Dy)、鋱(Tb)或其化合物后，沿結晶晶粒邊界進行熱擴散的方法，對于磁鐵厚度薄的磁鐵顯示磁特性顯著提高的效果，但對于磁鐵厚度厚的磁鐵不能熱擴散到中心部，所以磁特性提高效果小。另外，由于在磁鐵體內部產生矯頑力的分布，而矯頑力分布通過附著量、熱處理溫度、以及熱處理時間等進行控制，因此難以大量且相同地進行制作。

稀土類磁鐵，其成分中具有RTB(其中，R為稀土類元素、T為過渡金屬元素、B為硼)，稀土類磁鐵由磁粉構成，所述磁粉由晶粒構成，所述磁粉為扁平形狀，元素Rm以大致一定的濃度含于由所述磁粉構成的所述磁鐵的表面和內部，所述元素Rm具有比R的磁各向異性高的磁各向異性，在磁粉的晶粒邊界存在氟氧化物及碳，由此能夠解決本發明的課題。

根據本發明，能夠提供一種磁鐵，其能夠抑制熱退磁，在高溫環境下也能夠維持高的Br。

附圖說明

圖1是用實施例1的方法制成的磁鐵體的矯頑力與DyF₃添加量依存性的圖；

圖2用實施例1的方法制成的磁鐵體的截面部的SEM觀察結果及EDX光譜(a)二次電子像的500倍，(b)二次電子像的5000倍；

圖3是用實施例2的方法制成的磁鐵體中心部的STEM-EDX的行掃描的Dy的濃度分布的圖。

具體實施方式

有關本發明的實施例的特征，以下所述。

首先，本發明的實施例的稀土類磁鐵，其成分中具有RTB(其中，R為稀土類元素、T為過渡金屬元素、B為硼)，其特征為，稀土類磁鐵由磁粉構成，該磁粉由晶粒構成，磁粉的粒徑的短徑相對于長徑的比為0.5以下，短徑為10μm以上，元素Rm以大致一定的濃度含于由磁粉構成的磁鐵的表面和內部，所述元素Rm具有比R的磁各向異性高的磁各向異性，在磁粉的晶粒邊界存在氟氧化物及碳。在此，如對各元素的磁各向異性進行比較，各向異性以Tb＞Pr＞Dy＞Nd＞Ho＞Ce＞Y＞Gd＞Sm的順序減小。因此，例如，在使用Nb作為R時，采用Tb、Pr、Dy的任一種作為Rm。另外，關于Er及Tm的磁各向異性，其與Sm的磁各向異性相同程度。

另外，所述稀土類磁鐵的特征為，Rm的濃度在磁粉的表面部高，在磁粉的深部低。

進一步，所述稀土類磁鐵的特征為，Rm的濃度在晶粒的表面部高，在晶粒的深部低。

另外，所述稀土類磁鐵的特征為，氟氧化物存在于晶粒的晶粒邊界。

所述稀土類磁鐵特征為，磁粉的晶粒邊界的氟氧化物形成為島狀，且磁鐵的最低厚度為5mm以上。

所述稀土類磁鐵的特征為，關于稀土類磁鐵的成分，Rm為Nd、Tb、Dy、Pr、Ce、Ho的至少一種，且磁粉含有Nd、Pr、Fe、Co、B及Ca元素。

另外，本發明實施例的稀土類磁鐵，其成分具有RTB(其中，R為稀土類元素、T為過渡金屬元素、B為硼)，其特征為，稀土類磁鐵由磁粉構成，該磁粉由晶粒構成，磁粉為扁平形狀，在磁粉的晶粒邊界存在氟氧化物及碳，并且，具有比R的磁各向異性高的磁各向異性的元素Rm以大致一定的濃度含于由磁粉構成的所述磁鐵的表面和內部，Rm的濃度在磁粉的表面部高，在磁粉的深部低。

另外，所述稀土類磁鐵的特征為，晶粒的c軸方向的大小為30nm以上且100nm以下，與c軸方向垂直的方向的大小為100nm以上且400nm以下。