[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010111207.8
• 申請日: 2010-02-10
• 公開（公告）號: CN102148182A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張瑛;林偉銘;吳曉麗
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有襯墊氧化層和氮化硅層，所述襯墊氧化層和氮化硅層內(nèi)形成有暴露出襯底的開口；

沿開口刻蝕所述襯底形成淺溝槽，所述淺溝槽側(cè)壁頂部的拐角為弧形；

去除與淺溝槽側(cè)壁頂部對應(yīng)的氮化硅層直至暴露出襯墊氧化層；

在所述淺溝槽側(cè)壁、頂部和底部形成保護氧化層；

在氮化硅層表面和襯墊氧化層表面形成填充所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層；

去除隔離介質(zhì)層直至暴露出氮化硅層；

去除氮化硅層和襯墊氧化層。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述弧形的切線與襯底平面的夾角小于65度且大于45度。

3.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，形成淺溝槽側(cè)壁頂部的拐角為弧形的工藝為等離子體刻蝕工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，形成淺溝槽側(cè)壁頂部的拐角為弧形的工藝具體參數(shù)為：刻蝕腔室壓力為15至35毫托，射頻功率為400瓦至500瓦，射頻偏壓為150伏至250伏，HBr流量為30SCCM至40SCCM，CHF₃流量為140SCCM至160SCCM。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述隔離介質(zhì)層材料為氧化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，去除部分氮化硅層直至暴露出襯墊氧化層的工藝為濕法去除工藝。

7.如權(quán)利要求4所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，去除部分氮化硅具體為去除150埃至400埃寬度的氮化硅層。

8.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，去除隔離介質(zhì)層的工藝為化學(xué)機械拋光工藝。

9.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，去除氮化硅層的工藝為濕法去除工藝。

10.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，保護氧化層的形成工藝為氧化工藝。