[發(fā)明專利]薄膜電容器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010111173.2
• 申請(qǐng)日: 2010-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101807478A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉家福
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 源泰投資股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G4/33
• 分類號(hào): H01G4/33;H01G4/06
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種薄膜電容器，包含：一個(gè)第一電極；一個(gè)與該第一電極相對(duì)立設(shè)置的第二電極；及一層夾置于該第一、二電極間的介電膜層結(jié)構(gòu)；其特征在于：該介電膜層結(jié)構(gòu)具有一層經(jīng)摻雜的介電層，該經(jīng)摻雜的介電層具有一大于零且小于10¹⁰原子/cm³的摻雜濃度的摻雜物。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于：該經(jīng)摻雜的介電層的摻雜濃度是介于10⁶原子/cm³至10¹⁰原子/cm³間。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于：該經(jīng)摻雜的介電層是由一氧化物所構(gòu)成；該經(jīng)摻雜的介電層的摻雜物是Co、Fe、Ni、Ga、Mn、As、Al、Zn、Ti、P，或前述摻雜物的組合。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于：該經(jīng)摻雜的介電層的厚度是介于50nm至3000nm間。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜電容器，其特征在于：該經(jīng)摻雜的介電層的厚度是介于50nm至500nm間。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于：該介電膜層結(jié)構(gòu)還具有至少一層未經(jīng)摻雜的介電層。

7.如權(quán)利要求6所述的薄膜電容器，其特征在于：該介電膜層結(jié)構(gòu)具有二層未經(jīng)摻雜的介電層，且該經(jīng)摻雜的介電層是被夾置于所述未經(jīng)摻雜的介電層中。

8.如權(quán)利要求6所述的薄膜電容器，其特征在于：該未經(jīng)摻雜的介電層是由一氧化物所構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求6所述的薄膜電容器，其特征在于：該未經(jīng)摻雜的介電層的厚度是介于50nm至3000nm間。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜電容器，其特征在于：該未經(jīng)摻雜的介電層的厚度是介于50nm至500nm間。

11.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于：該第一、二電極至少其中一個(gè)是由一導(dǎo)電材料所構(gòu)成。

12.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于：該第一、二電極至少其中一個(gè)是由一磁性材料所構(gòu)成。

13.如權(quán)利要求12所述的薄膜電容器，其特征在于：該磁性材料是鐵磁性材料或反鐵磁性材料。

14.如權(quán)利要求13所述的薄膜電容器，其特征在于：該鐵磁性材料是鐵基合金、鈷基合金、鎳基合金，或前述合金的組合；該反鐵磁性材料是錳或錳基合金。