[發明專利]形成淺溝槽隔離結構的方法

無效

• 申請號: 201010110801.5
• 申請日: 2010-02-12
• 公開（公告）號: CN102157428A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 趙林林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/66
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，該方法包括：

在半導體襯底上沉積墊氧化層、停止層和光刻膠掩膜，通過刻蝕停止層、墊氧化層和半導體襯底形成淺溝槽，并在去除光刻膠掩膜之后在淺溝槽的側壁和底部形成襯氧化層；向所述淺溝槽中填充絕緣介質，形成位于淺溝槽中以及停止層上的氧化膜層；進行平坦化處理，去除停止層上的氧化膜層以及淺溝槽中的部分氧化膜層；

通過測量獲得平坦化處理后的第一臺階高度d1；其中，所述第一臺階高度d1為平坦化處理后的淺溝槽中的氧化膜層的上表面到墊氧化層的下表面之間的高度；

根據所述第一臺階高度d1去除淺溝槽中的部分氧化膜層，以調整淺溝槽中的氧化膜層的厚度；

去除停止層；進行有源區的閾值調整離子注入；

去除墊氧化層，形成淺溝槽隔離結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一臺階高度d1去除淺溝槽中的部分氧化膜層，以調整淺溝槽中的氧化膜層的厚度包括：

預先設置第一標準值D1，并確定去除淺溝槽中的部分氧化膜層的工藝的刻蝕速度v1；

根據所述d1、D1和v1，計算得到去除淺溝槽中的部分氧化膜層的工藝的持續時間t1；

執行去除淺溝槽中的部分氧化膜層的工藝，并使得所述去除淺溝槽中的部分氧化膜層的工藝的持續時間為t1，從而去除淺溝槽中的部分氧化膜層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：

所述t1的取值范圍為200～400秒。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除停止層包括：

通過測量獲得去除淺溝槽中的部分氧化膜層后的第二臺階高度d2；其中，所述第二臺階高度d2為去除淺溝槽中的部分氧化膜層后的淺溝槽中的氧化膜層的上表面到墊氧化層的下表面之間的高度；

根據所述第二臺階高度d2進行去除停止層的工藝。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述第二臺階高度d2進行去除停止層的工藝包括：

預先設置第二標準值D2，并確定所述去除停止層的工藝中去除停止層表面的自然氧化層的處理過程的刻蝕速度v2；

根據所述d2、D2和v2，計算得到所述去除停止層表面的自然氧化層的處理過程的持續時間t2；

執行去除停止層的工藝，并使得所述去除停止層的工藝中的去除停止層表面的自然氧化層的處理過程的持續時間為t2。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：

所述t2的取值范圍為480～600秒。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除墊氧化層，形成淺溝槽隔離結構包括：

通過測量獲得閾值調整離子注入后的第三臺階高度d3；其中，所述第三臺階高度d3為閾值調整離子注入后的淺溝槽中的氧化膜層的上表面到墊氧化層的下表面之間的高度；

根據所述第三臺階高度d3去除墊氧化層，形成淺溝槽隔離結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據所述第三臺階高度d3去除墊氧化層包括：

預先設置第三標準值D3，并確定去除墊氧化層的工藝的刻蝕速度v3；

根據所述d3、D3和v3，計算得到去除墊氧化層的工藝的持續時間t3；

執行去除墊氧化層的工藝，并使得所述去除墊氧化層的工藝的持續時間為t3，從而完全去除墊氧化層。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：

所述t3的取值范圍為290～370秒。