[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010110174.5
• 申請日: 2010-01-22
• 公開（公告）號: CN101789451A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 坂田淳一郎;島津貴志;大原宏樹;佐佐木俊成;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;H01L21/443
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導體裝置，包括：

絕緣表面上的柵電極；

位于所述絕緣表面上的包含SiO_x的氧化物半導體層；

所述柵電極和所述包含SiO_x的氧化物半導體層之間的絕緣層；

源電極層及漏電極層；以及

介于所述包含SiO_x的氧化物半導體層和所述源電極層及漏電極層之間 的源區及漏區，

其中，所述源區及漏區中的每個均包括氧氮化物材料，

其中，通過使用第一靶材的濺射法形成所述包含SiO_x的氧化物半導體 層，且

其中，通過使用不同于所述第一靶材的第二靶材的濺射法形成所述源區 及漏區。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述包含SiO_x的氧化物半導 體層包含錫。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述包含SiO_x的氧化物半導 體層包含鋅。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一靶材包含0.1wt％ 以上且20wt％以下的SiO₂。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述包含SiO_x的氧化物半導 體層包括與所述柵電極重疊的溝道區。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中整個所述氧化物半導體層與 所述柵電極重疊。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述包含SiO_x的氧化物半導 體層包括In-Ga-Zn類氧化物半導體。

8.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在絕緣表面上形成柵電極；

在所述柵電極上形成絕緣層；

在所述絕緣層上通過使用包含0.1wt％以上且20wt％以下的SiO2的第一 氧化物半導體靶材的濺射法形成包含SiO_x的氧化物半導體層；以及

在所述包含SiO_x的氧化物半導體層上在包含氮的氣氛中通過使用第二 氧化物半導體靶材的濺射法形成氧氮化物層。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟，在 形成所述氧氮化物層之后，去除重疊于所述柵電極的所述氧氮化物層的一部 分，以使所述包含SiO_x的氧化物半導體層的一部分露出。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中所述包含SiO_x的氧化物半導體層包括In-Ga-Zn類氧化物半導體。

11.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在絕緣表面上通過使用包含0.1wt％以上且20wt％以下的SiO₂的第一氧 化物半導體靶材的濺射法形成包含SiOx的氧化物半導體層；

在所述包含SiO_x的氧化物半導體層上在包含氮的氣氛中通過使用第二 氧化物半導體靶材的濺射法形成氧氮化物層；

覆蓋所述氧氮化物層地形成絕緣層；以及

在所述絕緣層上形成柵電極。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中所述包含SiOx 的氧化物半導體層包括In-Ga-Zn類氧化物半導體。