[發(fā)明專(zhuān)利]一種含碳層的等離子刻蝕方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010110098.8
• 申請(qǐng)日: 2010-02-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101800174A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪圖強(qiáng);高山星一;陶錚
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 代理公司: 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種含碳層的等離子刻蝕方法，包括：

刻蝕步驟，提供一刻蝕氣體在等離子體作用下對(duì)所述含碳層進(jìn)行刻蝕，并刻蝕至一定深度，以露出一刻蝕界面，所述刻蝕界面包括側(cè)壁；

側(cè)壁鈍化步驟，提供一含碳?xì)涑煞莸姆磻?yīng)氣體，在等離子體作用下，在所述刻蝕界面的側(cè)壁形成含碳?xì)涑煞莸木酆衔铮练e在所述刻蝕界面的側(cè)壁表面；

交替循環(huán)所述刻蝕步驟和側(cè)壁鈍化步驟，直到刻蝕到達(dá)目標(biāo)深度。

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括含氧成份的氣體。

3.如權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含氧成份的氣體選自于O₂、CO、CO₂中的一種或至少兩種的混合物。

4.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕氣體進(jìn)一步包括含氮成份或含氫成份的氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含氮或含氫成份的刻蝕氣體包括N₂或H₂或NH₃或N₂、H₂及NH₃中的至少兩種混合氣體。

6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含碳?xì)涑煞莸姆磻?yīng)氣體為分子式為C_xH_y或C_xH_yF_z成份的氣體，其中x、y、z為大于或等于1的自然數(shù)。

7.如權(quán)利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含碳?xì)涑煞莸姆磻?yīng)氣體選自于CH₄、C₂H₄、C₃H₆、C₃H₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F中的一種或至少兩種的混合物。

8.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含碳層包括由有機(jī)物組成的層。

9.如權(quán)利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述由有機(jī)物組成的層是聚合物層、抗反射層(ARC)、底部抗反射層(BARC)、含碳掩膜層中的一種或多種。

10.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含碳層包括無(wú)定形碳層。

11.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含碳層上方有一層含硅材料的掩膜。

12.如權(quán)利要求11所述的刻蝕方法，其特征在于，所述含硅材料的掩膜選自于SiO₂、SiOF、SiOC、SiOCH、Si₃N₄材料層中的一種。