[發明專利]對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法及制絨用的酸溶液無效
| 申請號: | 201010110071.9 | 申請日: | 2010-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN102157602A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 倪黨生;劉志偉;孫義榮;王亦天 | 申請(專利權)人: | 上海思恩電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 鄧琪 |
| 地址: | 201323 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 進行 濕法 擴散 方法 制絨用 溶液 | ||
1.一種對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)采用磷酸對基片進行濕處理;
(2)將基片送至滾式加熱爐中進行磷擴散,其中加熱爐內的溫度為800-900℃,加熱時間為20-30分鐘;
(3)采用一種酸溶液對所述基片進行制絨,所述酸溶液是氫氟酸、硝酸、磷酸和表面活性劑的混合液;
(4)最后用堿溶液和去離子水清洗基片并烘干。
2.根據權利要求1所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(1)中所述磷酸的濃度是1%-10%。
3.根據權利要求2所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(1)中所述磷酸的濃度是4%。
4.根據權利要求3所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(1)中,通過一個霧化器使所述磷酸霧化后噴淋在基片表面。
5.根據權利要求4所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,所述霧化器包括一個噴霧刀,該噴霧刀具有多個霧狀磷酸射口,噴射口中間設有毛細管,所述磷酸通過毛細管周邊的噴射口空間呈扇形噴射至基片表面。
6.根據權利要求5所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,所述毛細管的截面直徑尺寸小于1mm。
7.根據權利要求4-6任一項所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(1)中,采用一個自動傳輸機構將所述基片依次送至待處理工位。
8.根據權利要求7所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,所述自動傳輸機構包括在垂直于傳輸方向相差1-3mm的多組錯位滾輪,以及伺服電機和同步傳動傘齒輪,同步傘齒輪帶動多組錯位滾輪同步旋轉。
9.根據權利要求1所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,所述加熱爐內的溫度是800-850℃,加熱時間為10-25分鐘。
10.根據權利要求1所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(3)中,所述酸溶液中氫氟酸的體積百分含量是0.25%到20%;硝酸的體積百分含量是0.25%到20%;磷酸的體積百分含量是0.25%到20%;以及表面活性劑的體積百分含量是0.001%到10%。
11.根據權利要求10所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(3)中,所述酸溶液中氫氟酸的體積百分含量是48%;硝酸的體積百分含量是3.99%;磷酸的體積百分含量是48%;以及表面活性劑的體積百分含量是0.01%。
12.根據權利要求1或10或11所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(3)中,通過霧化器使所述酸溶液霧化,并將所述霧狀的酸溶液噴于基片表面。
13.根據權利要求12所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(3)中,所述制絨過程為2-5分鐘。
14.根據權利要求1所述的對基片進行濕法磷擴散和制絨的方法,其特征在于,步驟(4)中,所述純水或去離子水噴淋清洗基片過程中加入兆聲能量。
15.一種基片制絨用的酸溶液,其特征在于,所述酸溶液是氫氟酸、硝酸、磷酸和表面活性劑的混合液。
16.根據權利要求15所述的一種基片制絨用的酸溶液,其特征在于,所述酸溶液中氫氟酸的體積百分含量是0.25%到20%;硝酸的體積百分含量是0.25%到20%;磷酸的體積百分含量是0.25%到20%;以及表面活性劑的體積百分含量是0.001%到10%。
17.根據權利要求16所述的一種基片制絨用的酸溶液,其特征在于,所述酸溶液中氫氟酸的體積百分含量是48%;硝酸的體積百分含量是3.99%;磷酸的體積百分含量是48%;以及表面活性劑的體積百分含量是0.01%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





