[發明專利]一種體接觸器件結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010110029.7
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN102148158A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 梁擎擎;鐘匯才
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張磊

1.一種制造體接觸器件結構的方法，所述方法包括：

A.提供半導體襯底，所述半導體襯底內有隔離區；

B.在所述半導體襯底和隔離區上形成偽柵堆疊，以及在所述偽柵堆疊側壁形成側墻，以及在所述半導體襯底內形成源極區和漏極區，并覆蓋所述源極區、漏極區以及隔離區形成絕緣介電層；

C.將偽柵堆疊一端去除，暴露襯底和隔離區以形成開口，其中偽柵堆疊未去除部分為體引出堆疊，所述體引出堆疊包括體引出層，所述體引出層直接和襯底接觸；

D.在所述開口內形成替代柵堆疊，所述替代柵堆疊包括柵介質層和柵電極；

E.在所述源極區和漏極區上形成源漏接觸，在所述體引出堆疊中的體引出層上形成體接觸以及在替代柵堆疊的柵電極上形成柵極接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述體引出層由半導體或半導體化合物材料形成，且采用與所述襯底不同的材料形成。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述半導體或半導體化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、多晶硅和金剛石。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述體引出堆疊還包括第一氧化物帽層和第二氮化物帽層。

5.根據權利要求1所述的方法，在步驟D和步驟E之間還包括：在所述源極區、漏極區的半導體襯底上形成源漏金屬硅化物層，以及在所述體引出層上形成體引出金屬硅化物層。

6.一種體接觸器件結構，其中所述結構包括：

具有半導體襯底，其中所述半導體襯底內有隔離區；

在半導體襯底上形成的源極區和漏極區；

形成于所述源極區和漏極區之間的半導體襯底和隔離區上的體引出堆疊和替代柵堆疊；

其中所述體引出堆疊包括體引出層；所述替代柵堆疊包括柵介質層和柵電極；

形成于所述體引出堆疊和替代柵堆疊側壁的側墻；

形成于所述源極區和漏極區的源漏接觸，以及體引出層上的體接觸，以及柵電極上的柵極接觸。

7.根據權利要求6所述的器件結構，其中所述體引出層由半導體或半導體化合物材料形成，且采用與所述襯底不同的材料形成。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述半導體或半導體化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、多晶硅或金剛石。

9.根據權利要求6所述的器件結構，在所述源漏接觸與所述源極區和漏極區所在襯底之間還包括源漏金屬硅化物層。

10.根據權利要求6所述的器件結構，在所述體接觸與所述體引出層之間還包括體引出金屬硅化物層。

11.根據權利要求6所述的器件結構，其中所述體引出堆疊還包括第一氧化物帽層和第二氮化物帽層。