[發明專利]一種用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置

有效

• 申請號: 201010109099.0
• 申請日: 2010-02-08
• 公開（公告）號: CN101760785A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 張國春;趙三根;傅佩珍;吳以成
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318
• 代理人: 楊小蓉;高宇

1.一種用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其特征在于：其包 括：

扣裝于坩堝(1)上端的帶第一中心通孔的鉑金反射罩(2)和覆于所述鉑金反射 罩(2)上表面上的帶第二中心通孔的耐火保溫罩(3)；

所述第一中心通孔直徑為坩堝(1)內直徑的1/9-5/9；

所述第二中心通孔直徑大于第一中心通孔直徑2-5mm；

所述耐火保溫罩(3)的上表面為平面。

2.按權利要求1所述的用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其 特征在于，所述鉑金反射罩(2)為凹面型反射罩或凸面型反射罩。

3.按權利要求1所述的用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其 特征在于，所述鉑金反射罩(2)上開有與所述第一中心孔相連通的穿透所述鉑金反 射罩(2)的第一觀察窗口，所述第一觀察窗口寬5-10mm，長為10-20mm；同時，所述 耐火保溫罩(3)開有與所述第二中心孔相連通的穿透所述耐火保溫罩(3)的第二觀 察窗口，所述第二觀察窗口寬7-12mm，長12-22mm；所述第一觀察窗口與第二觀察 窗口在寬度方向上的中心重合。

4.按權利要求1所述的用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其 特征在于，鉑金反射罩(2)下口有一向下延伸的邊緣，下口直徑大于貴金屬坩堝(1) 外直徑2-4mm。

5.按權利要求1所述的用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其 特征在于，鉑金反射罩(2)和耐火保溫罩(3)與生長爐膛之間留有3-6mm間隙。

6.按權利要求1所述的用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其 特征在于，所述鉑金反射罩(2)頂端至底端的高度為10-30mm，厚度1-3mm。

7.按權利要求1所述的用于調節晶體生長爐中坩堝內徑向溫度梯度的裝置，其 特征在于，所述耐火保溫罩(3)頂端至底端的高度為20-40mm。