[發(fā)明專利]集成電路結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010108466.5
• 申請(qǐng)日: 2010-02-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101814490A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江國(guó)誠(chéng);涂國(guó)基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/01
• 分類號(hào): H01L27/01
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

一芯片，含有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域；

一第一金屬-絕緣層-金屬電容器，位于該第一區(qū)域中，其中該第一金屬- 絕緣層-金屬電容器，包含：

一第一底部電極；

一第一頂部電極，位于該第一底部電極上；及

一第一電容絕緣層，鄰接該第一頂部電極及該第一底部電極且位于 其間；以及

一第二金屬-絕緣層-金屬電容器，位于該第二區(qū)域中且與該第一金屬-絕 緣層-金屬電容器同一層級(jí)，其中該第二金屬-絕緣層-金屬電容器，包含：

一第二底部電極；

一第二頂部電極，位于該第二底部電極上；及

一第二電容絕緣層，鄰接該第二頂部電極及該第二底部電極且位于 其間，其中該第一電容絕緣層及該第二電容絕緣層不同，

其中該第一電容絕緣層與該第二電容絕緣層的厚度不同，或者該第一電 容絕緣層及該第二電容絕緣層包含不同材料。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第一電容絕緣層包含相互 堆疊的一第一層及一第二層，且該第二電容絕緣層含有一厚度與該第一層相 同且由相同材料形成的膜層，且其中該第二電容絕緣層未包含任何厚度及材 料與該第二層相同的膜層。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含一第三金屬-絕緣層-金屬電 容器，位于該第一區(qū)域中且鄰近于該第一金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該 第三金屬-絕緣層-金屬電容器，包含：

一第三底部電極，與該第一底部電極相連接；

一第三頂部電極，位于該第三底部電極上且與該第一頂部電極相連接； 及

一第三電容絕緣層，位于該第三底部電極及該第三頂部電極之間，其中 該第三電容絕緣層及該第一電容絕緣層的該第一層形成一連續(xù)層。

4.如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第三金屬-絕緣層-金屬電容 器還包含一與該第三電容絕緣層堆疊在一起的第四電容絕緣層，該第四電容 絕緣層的厚度與該第二層相同且由相同材料形成，且其中該第四電容絕緣層 及該第二電容絕緣層彼此未連接。

5.如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第三金屬-絕緣層-金屬電容 器還包含一與該第三電容絕緣層堆疊在一起的第四電容絕緣層，該第四電容 絕緣層的厚度與該第二層相同且由相同材料形成，且其中該第四電容絕緣層 及該第二電容絕緣層相連接以形成一連續(xù)層。

6.如權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第一區(qū)域擇自下列區(qū)域所 組成的族群：混合信號(hào)區(qū)域、模擬區(qū)域及射頻區(qū)域，且其中該第二區(qū)域?yàn)橐? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器區(qū)域，其以該第二金屬-絕緣層-金屬電容器作為一存儲(chǔ) 電容。

7.如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬-絕緣層-金屬電容 器及該第二金屬-絕緣層-金屬電容器為在一層間介電層中，且其中該集成電 路結(jié)構(gòu)還包含一淺溝槽隔離區(qū)域，直接位于該第一金屬-絕緣層-金屬電容器 下方且具有較該第一金屬-絕緣層-金屬電容器更大的面積。

8.如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬-絕緣層-金屬電容 器及該第二金屬-絕緣層-金屬電容器為立體電容器。

9.如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬-絕緣層-金屬電容 器及該第二金屬-絕緣層-金屬電容器為平面電容器。