[發明專利]太陽能電池制作方法

無效

• 申請號: 201010108136.6
• 申請日: 2010-02-10
• 公開（公告）號: CN101789466A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 門傳玲;安正華
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種太陽能電池制作方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

a)器件片制作

采用離子注入技術在單晶硅片中注入氫離子或氦離子或氫、氦兩種離子， 或者在單晶硅片中通過電化學腐蝕法引入多孔硅，并在多孔硅上外延單晶硅；

b)支撐襯底制作

采用濺射或真空蒸發方法在玻璃或陶瓷或不銹鋼或塑料襯底上沉積SiC、 SiO₂、Al₂O₃或Si₃N₄中的一種或兩種薄膜作為介質層和隔離層，然后再鍍上一層 鋁薄層作為支撐襯底；

c)形成鍵合片

器件片和支撐襯底經清洗、干燥后在常溫常壓或真空或等離子輔助的室溫 下鍵合；

d)退火處理

將鍵合片在300～1500℃溫度下和氮氣或氦氣保護氣氛下退火處理，鍵合片 從器件片的離子注入退火后形成的氣泡層處或者多孔硅上外延單晶硅處裂開， 斷裂下來的器件硅片經腐蝕拋光后按步驟a)反復使用；

e)形成“黑硅”

經上述退火處理后離子注入層或多孔硅對應的裂開處表面粗糙，形成天然的 “黑硅”；或者采用腐蝕或拋光除去離子注入層或殘余多孔硅層，對鍵合片上的 剩余頂層硅采用化學機械拋光機拋光，并在SF₆反應氣氛中進行表面處理形成 “黑硅”；

f)在頂層硅中摻入硼和磷形成p-n結；

g)得到太陽能電池

將步驟b)中的鋁層作為背電極，采用絲網印刷、光刻、電子束蒸發、電子 鍍方法制作前電極，得到太陽能電池。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池制作方法，其特征在于：注入離子是氫離 子，離子注入劑量在1×10¹⁴H⁺/cm²到1×10¹⁹H⁺/cm²間，離子注入能量在10KeV 到500KeV間。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池制作方法，其特征在于：鍵合后形成的頂 層硅厚度為1～100μm。