[發(fā)明專利]彈性接點(diǎn)及其制造方法、以及接點(diǎn)基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010108079.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-01-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101794942A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 長(zhǎng)野真一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 阿爾卑斯電氣株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01R13/03 | 分類號(hào): | H01R13/03;H01R13/24;H01R33/74;H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 劉建 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 彈性 接點(diǎn) 及其 制造 方法 以及 | ||
1.一種彈性接點(diǎn),包括:
被NiX無(wú)電解鍍敷的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層,其中X為P、W、Mn、 Ti、Be、B中的任一種以上;
在所述NiX層的表面上被NiX無(wú)電解鍍敷,且元素X的含有量比所 述NiX層少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層;和
被無(wú)電解鍍敷到所述基底層的表面上的Pd或Pd合金的金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性接點(diǎn),其特征在于,
元素X為P,所述NiX層的P含有量為9~30質(zhì)量%,所述基底層的 P含有量為3~8質(zhì)量%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性接點(diǎn),其特征在于,
所述彈性接點(diǎn)被收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0.5mm以下的正方形的范圍內(nèi)。
4.一種接點(diǎn)基板,其特征在于,
權(quán)利要求1所述的彈性接點(diǎn)為多個(gè),且以電分離的狀態(tài)被固定支撐到 支撐基板。
5.一種彈性接點(diǎn)的制造方法,包括:
由無(wú)電解鍍敷法形成由NiX構(gòu)成的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層的工序,其 中X為P、W、Mn、Ti、Be、B中的任一種以上;
由無(wú)電解鍍敷法在所述NiX層的表面形成由NiX構(gòu)成且元素X的含 有量比所述NiX層少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層的工序,其中X為P、W、Mn、 Ti、Be、B中的任一種以上;和
由無(wú)電解鍍敷法在所述基底層的表面形成Pd或Pd合金的金屬層的工 序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性接點(diǎn)的制造方法,其特征在于,
對(duì)元素X選擇P,將所述NiX層的P含有量調(diào)整在9~30質(zhì)量%的范 圍內(nèi),將所述基底層的P含有量調(diào)整在3~8質(zhì)量%的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性接點(diǎn)的制造方法,其特征在于,
以收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0.5mm以下的正方形的范圍內(nèi)的方式形成各 彈性接點(diǎn)。
8.一種接點(diǎn)基板的制造方法,所述接點(diǎn)基板將由權(quán)利要求5~7中任 一項(xiàng)所述的制造方法形成的多個(gè)彈性接點(diǎn)進(jìn)行了固定支撐,其特征在于,
所述接點(diǎn)基板的制造方法具有分別電分離而形成多個(gè)芯部并由支撐 基板支撐各芯部的工序,
由無(wú)電解鍍敷法在各芯部的表面對(duì)所述NiX層、所述基底層及所述金 屬層進(jìn)行層疊鍍敷。
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