[發明專利]一種二氧化鈰多晶納米帶的制備方法無效

申請號：	201010108041.4	申請日：	2010-02-10
公開（公告）號：	CN101792170A	公開（公告）日：	2010-08-04
發明（設計）人：	董相廷;王進賢;樊繼霜;劉桂霞;于文生	申請（專利權）人：	長春理工大學
主分類號：	C01F17/00	分類號：	C01F17/00;B82B3/00
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	130022 吉林***	國省代碼：	吉林;22
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種氧化多晶納米制備方法
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【權利要求書】：

1.一種二氧化鈰多晶納米帶的制備方法，其特征在于，采用靜電紡絲技術，使用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為高分子模板劑，采用N，N-二甲基甲酰胺(DMF)為溶劑，制備產物為二氧化鈰多晶納米帶，其步驟為：

(1)配制紡絲液

紡絲液中使用硝酸鈰為鈰源，高分子模板劑采用分子量為90000的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，溶劑采用N，N-二甲基甲酰胺(DMF)，將所述硝酸鈰、高分子模板劑溶于溶劑中，于室溫下磁力攪拌2～4h，并靜置2～3h，即形成紡絲液，該紡絲液各組成部分的質量百分數為：硝酸鈰含量8～10％，PVP含量15～20％，其余為溶劑DMF；

(2)制備PVP/Ce(NO₃)₃復合納米帶

采用靜電紡絲技術，技術參數為：直流電壓為15～20kV，噴嘴口徑為0.8mm，噴嘴與水平面的夾角為20°，注射器針頭噴嘴到接收屏的固化距離為20～22cm，室內溫度18～28℃，相對濕度為40％～60％；

(3)制備CeO₂多晶納米帶

將所獲得的PVP/Ce(NO₃)₃復合納米帶進行熱處理，技術參數為：升溫速率為1～2℃/min，在600～800℃溫度范圍內保溫5～10h，之后隨爐體自然冷卻至室溫，得到CeO₂多晶納米帶。?

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