[發明專利]集成電路設計的漏電流分布的模擬方法

無效

• 申請號: 201010107588.2
• 申請日: 2010-01-29
• 公開（公告）號: CN102142045A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 呂一云
• 申請（專利權）人: 呂一云
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 王月玲;武玉琴

1.一種集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，包括步驟如下：

a、取得一個包含多個晶體管及多個電容的集成電路設計圖的電路描述文件；

b、分析該電路描述文件，以取得多個晶體管的尺寸及多個電容的尺寸，以及取得每一個該晶體管的尺寸所對應的一晶體管的數目，與每一個該電容的尺寸所對應的一電容的數目；

c、取得一個用以制造所述這些晶體管及所述這些電容的制程的多個制程變異范圍；

d、根據所述這些制程變異范圍，來將所述這些晶體管的尺寸與所述這些電容的尺寸變化；

e、模擬出每一個變化后的該晶體管的尺寸的一漏電流值，模擬出每一個變化后的該電容的尺寸的一漏電流值，其中所述這些漏電流值是由一特別為集成電路的模擬程序所模擬出；

f、將每一個該晶體管的尺寸的漏電流值分別與該尺寸所對應的晶體管的數目相乘，以及將每一個該電容的尺寸的漏電流值分別與該尺寸所對應的電容的數目相乘；

g、將所述這些相乘后的漏電流值做運算，以得到一總漏電流值；

h、重復步驟d至步驟g，以得到其他的多個總漏電流值；以及

i、從所述這些總漏電流值產生出一漏電流分布。

2.如權利要求1所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，更包括步驟如下：

確認該漏電流分布是否合乎一規范要求。

3.如權利要求1或2任一項所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，更包括步驟如下：

修改該集成電路設計圖以改善該漏電流分布。

4.如權利要求1所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，該晶體管的尺寸包括：通道寬度、通道長度以柵極介電層厚度。

5.如權利要求1所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，步驟e中，每一個變化后的該晶體管的尺寸的多個電性參數及每一個變化后的該電容的尺寸的多個電性參數也被模擬出；所述這些電性特性是由該特別為集成電路的模擬程序所模擬出。

6.如權利要求5所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，所述這些電性參數包括：飽和驅動電流、臨界電壓及電阻值。

7.如權利要求5所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，更包括步驟如下：

取得一裝置測試數據，其具有多個實際的電性參數；以及

使用該裝置測試數據來矯正一制程裝置統計模型。

8.如權利要求1所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，步驟a至步驟i重復執行于多個半導體制造廠，以分別地得到所述這些半導體制造廠的一漏電流分布。

9.如權利要求8所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，更包括步驟如下：

從所述這些半導體制造廠的漏電流分布中，建立出一漏電流比較信息。

10.如權利要求1所述的集成電路設計的漏電流分布的模擬方法，其特征在于，更包括步驟如下：

依循一監控裝置規范，從集成電路設計中取得一監控裝置；

取得該監控裝置的一光罩量測數據，以進一步得到該監控裝置的光罩尺寸變異；

取得該監控裝置的一制造量測數據，以進一步得到該監控裝置的制程參數變異；以及

產生該監控裝置的一漏電流分布；

其中該監控裝置規范包括：特征密度、方位、間距及晶體管的尺寸。