[發明專利]圖案修正方法、曝光掩膜、半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010107016.4
• 申請日: 2010-01-22
• 公開（公告）號: CN101788762A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 岡干生;小池薰;土屋健介;大沼英壽
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種圖案修正方法，包括：

修正步驟，對具有作為組成元件的多個晶體管的半導體電路圖案執行圖 案修正；

優先級順序識別步驟，在所述修正步驟的所述圖案修正之前識別針對所 述多個晶體管而設置的優先級順序；和

條件調整步驟，當所述修正步驟的所述圖案修正時，參考具有在所述優 先級順序識別步驟中被識別的高優先級的晶體管，調整用于所述圖案修正的 修正條件。

2.根據權利要求1的所述的圖案修正方法，其中基于對于所述多個晶體 管所要求的性能和功能預設所述優先級順序。

3.一種具有掩膜圖案的曝光掩膜，所述掩膜圖案通過如下步驟確定：

修正步驟，對具有作為組成元件的多個晶體管的半導體電路圖案執行圖 案修正；

優先級順序識別步驟，在所述修正步驟的所述圖案修正之前識別針對所 述多個晶體管而設置的優先級順序；和

條件調整步驟，當所述修正步驟的所述圖案修正時，參考具有所述優先 級順序識別步驟中被識別的高優先級的所述晶體管，為所述圖案修正調整修 正條件。

4.一種曝光掩膜的制造方法，包括：

修正步驟，對具有作為組成元件的多個晶體管的半導體電路圖案執行圖 案修正；

優先級順序識別步驟，在所述修正步驟的所述圖案修正之前，識別針對 所述多個晶體管而設置的優先級順序；

條件調整步驟，當所述修正步驟的所述圖案修正時，參考具有所述優先 級順序識別步驟中被識別的高優先級的所述晶體管，調整用于所述圖案修正 的修正條件；和

掩膜制作步驟，制作具有與在所述修正步驟的所述圖案修正之后的所述 半導體電路圖案相對應的掩膜圖案的曝光掩膜。

5.一種半導體器件的制造方法，包括：

修正步驟，對具有作為組成元件的多個晶體管的半導體電路圖案執行圖 案修正；

優先級順序識別步驟，在所述修正步驟中的所述圖案修正之前識別針對 所述多個晶體管而設置的優先級順序；

條件調整步驟，當所述修正步驟的所述圖案修正時，參考具有所述優先 級順序識別步驟中被識別的高優先級的所述晶體管，調整用于所述圖案修正 的修正條件；和

轉印步驟，利用具有與在所述修正步驟的所述圖案修正之后的所述半導 體電路圖案對應的掩膜圖案的曝光掩膜，在半導體襯底上形成轉印的圖像。

6.一種圖案修正方法，包括：

失真識別步驟，識別當具有作為組成元件的對稱排列的多對晶體管的半 導體電路圖案被曝光并轉印到半導體襯底上時的圖案失真量；

修正步驟，對所述半導體電路圖案執行圖案修正；和

優先級順序識別步驟，在所述修正步驟的所述圖案修正之前，識別針對 所述多對晶體管而設置的優先級順序；

第一條件調整步驟，基于所述失真識別步驟的識別結果，調整用于所述 圖案修正的修正條件，使得當所述修正步驟的所述圖案修正時，針對組成所 述晶體管對的一個晶體管的所述圖案失真量可以等于針對組成所述晶體管對 的另一個晶體管的所述圖案失真量；和

第二條件調整步驟，當所述修正步驟的所述圖案修正時，參考具有在所 述優先級順序識別步驟中被識別的高優先級的所述晶體管對，調整用于所述 圖案修正的修正條件。

7.根據權利要求6的所述圖案修正方法，其中，在所述第一條件調整步 驟中，使具有較大改動空間的圖案失真量等于具有較小改動空間的圖案失真 量。

8.根據權利要求6或7的所述圖案修正方法，其中，基于對于所述多對 晶體管所要求的性能和功能，預設所述優先級順序。