[發明專利]一種中空二氧化硅微球的制備方法無效
| 申請號: | 201010106985.8 | 申請日: | 2010-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN101817530A | 公開(公告)日: | 2010-09-01 |
| 發明(設計)人: | 劉世權;邱芹 | 申請(專利權)人: | 濟南大學 |
| 主分類號: | C01B33/12 | 分類號: | C01B33/12;B01J13/02 |
| 代理公司: | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 250022 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 中空 二氧化硅 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種二氧化硅微球材料的制備,尤其涉及一種中空二氧化硅微球的制備方 法。
背景技術
中空微球材料屬于功能材料,在催化劑載體、藥物的存儲與緩釋、生物活性分子的包 覆、化妝品以及輕質填料等很多領域都有著廣泛的應用。模板法是制備中空微球的常用方 法,較多用的是以聚苯乙烯(PS)微球為模板,在其上包覆新生成的SiO2二氧化硅納米粒 子形成球殼,再煅燒除去PS模板得到中空SiO2微球。
武曉峰、Tan?Bing、Zhang?Shigang、Yang?Mu等(稀有金屬材料與工程,2007,36,p217-291; Langumir,2005,21,8180-8187;Materials?Chemistry?and?Physcis,2008,11,p5-8.)采 用十六烷基三甲基溴化銨或依靠在PS微球表面引入功能團,通過功能團與二氧化硅納米粒 子間的親和力來完成PS微球和二氧化硅納米粒子組裝,再煅燒除去PS模板得到中空SiO2 微球。Yan-Bo?Zhang等(Materials?Letters,2003,58,p222-225)用PDDA和PSS對PS 微球表面改性使其荷正電,通過靜電吸引SiO2微球,最終去除模板得到中空結構。Li和 Kim(Langmuir,2008,24,p10552)采用等離子體技術處理PS微球,使其表面生成OH基團, 從而易于吸附正硅酸乙酯(TEOS)水解縮聚產生的二氧化硅納米粒子來完成組裝。
現有技術采用價格昂貴的表面活性劑(如十六烷基三甲基溴化銨等)或其它功能團來 修飾帶負電的PS微球,步驟復雜,且增加成本。
發明內容
本發明通過選擇合適的二氧化硅生成體系,不使用修飾劑對PS模板進行修飾,通過控 制水解縮聚反應速率及生成的二氧化硅納米粒子的聚集狀態,可使二氧化硅納米粒子直接 沉積在PS微球表面,形成PS-SiO2復合微球,經煅燒去除PS微球即形成中空結構。
本發明的中空二氧化硅微球的制備方法,采用下述步驟:
(1)將65ml乙醇和5ml水加入燒杯中,攪拌均勻后加入5~10ml氨水繼續攪拌5~30min, 再加入2~10ml正硅酸乙酯后于1-5min內迅速加入0.5~7g聚苯乙烯微球,然后常溫攪拌反 應1-3h;
(2)將上述反應后混合物抽濾,洗滌,濾餅先于常溫干燥,然后加熱至500-600℃,保溫 5-8h后停止加熱,在爐中冷卻至室溫,收集樣品。
其中,步驟(1)中聚苯乙烯微球PS還可在正硅酸乙酯加入前加入,如在乙醇和水混 合均勻后加入;或在乙醇、水和氨水混勻后加入。
所述步驟(1)中優選質量濃度為25%的氨水5ml,正硅酸乙酯優選5ml,聚苯乙烯微球 優選7g。
所述步驟(2)中洗滌時,最好以使抽濾后的清液無泡沫為止;步驟(2)中最好應以1 ℃/min的升溫速率加熱至550℃并保溫6h。
本發明所用的模板聚苯乙烯微球可以通過分散聚合法(H.Bamnolker,S.Margel,Journal of?Polymer?Science,Part?A,Polymer?Chemistry,1996,34,p1857-1871.)制備而得。
本發明的中空二氧化硅微球的制備方法通過控制反應各組分中氨水、TEOS的用量來調 控硅源的水解縮聚速率,從而減小二氧化硅納米顆粒間及其與PS微球間的靜電排斥力,實 現帶負電荷的二氧化硅納米粒子在帶負電荷的PS微球表面直接沉積,干燥的聚苯乙烯微球 是采用分散聚合法制備的,在乙醇-水-氨水體系中其表面顯負電性,從而形成PS-SiO2復合 微球,經煅燒去除PS微球即形成中空SiO2微球。
本發明的中空二氧化硅微球的制備方法的有益效果是:采用PS微球未經任何修飾在常 溫下反應即可直接制得中空SiO2微球,簡化了合成程序,制備過程簡單,易于控制和實現, 構成的中空微球的納米顆粒具有小于2納米的微孔,而納米顆粒間有幾十納米的中孔和大 孔,這樣的多層次納米孔結構有利于物質吸附與傳輸。
附圖說明
圖1為中空二氧化硅微球的掃描電鏡(SEM)照片。
圖2為中空二氧化硅微球的SEM照片。
具體實施方式
實施例1
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