[發明專利]一種基于可控硅的專用混合智能功率模塊

無效

• 申請號: 201010106956.1
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN101777827A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 沈金榮;李書旗
• 申請（專利權）人: 河海大學常州校區
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種基于可控硅的專用混合智能功率模塊，外殼(13)內設電路板，電路板上的可控硅(10)分別通過其隔離驅動電路(9)、保護電路(8)和觸點電壓監測電路(3)連接單片機(1)，其特征是：單片機(1)分別外接觸點電壓監測電路(3)，故障及運行指示電路(4)、外接投切信號監測電路(5)；外殼(13)的外側面上固定兩個主接線柱(12)且一側設有投切信號輸入接口(11)，投切信號輸入接口(11)連接投切信號監測電路(5)；磁保持繼電器(7)通過繼電器驅動電路(6)連接單片機(1)，可控硅(10)中反并聯的單向可控的陰陽極與磁保持繼電器(7)的兩個觸點并聯后與分別與兩個主接線柱(12)相連接，構成模塊的兩個開關主觸點。

2.根據權利要求1所述的一種基于可控硅的專用混合智能功率模塊，其特征是：保護電路(8)為電阻(R1)和電容(C0)組成的RC緩沖保護電路；觸點電壓監測電路(3)由電阻(R2、R3)、二極管(D1)和光電耦合器(IC3)組成；繼電器驅動電路(6)由三極管(Q1)、電阻(R4)、電阻(R5)和三極管(Q2)組成；隔離驅動電路(9)由脈沖變壓器(T1)、電阻(R7)和(R8)構成。

3.根據權利要求1所述的一種基于可控硅的專用混合智能功率模塊，其特征是：觸點電壓監測電路(3)由其CPU-7端連接到單片機(1)，所述模塊的兩個開關主觸點的觸電電壓L端高于N端時，CPU-7為低電平，觸電電壓L端低于N端時，CPU-7為高電平。