[發明專利]一種在硅片表面制備銀納米材料的方法無效
| 申請號: | 201010106584.2 | 申請日: | 2010-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN101775594A | 公開(公告)日: | 2010-07-14 |
| 發明(設計)人: | 何洋;尹恒許;田夢君;姜澄宇;苑偉政 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | C23C18/42 | 分類號: | C23C18/42;C23C18/18 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 夏維力 |
| 地址: | 710072陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 表面 制備 納米 材料 方法 | ||
1.一種在硅片表面制備銀納米材料的方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟對硅片表面進行清洗。
步驟2:將清洗過的硅片放入濃度為2.3mol/L-4.6mol/L的氫氟酸和濃度為0.01mol/L-0.04mol/L的硝酸銀混合溶液中,室溫處理0.5-2分鐘。
步驟3:取出硅片,用去離子水漂洗后自然晾干。
2.按照權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述步驟1中對硅片表面進行清洗的具體過程是:用丙酮震蕩清洗5-10分鐘,然后用乙醇震蕩清洗5-10分鐘,再用98%的硫酸和30%的過氧化氫混合溶液清洗5-10分鐘,所述98%的硫酸和30%的過氧化氫的容積比為3∶1。
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C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
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C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





