[發明專利]膜沉積方法和半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201010105598.2
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN101800176A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 赤尾裕隆;貝野由利子;龜井隆廣;原昌輝;栗原研一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/336;C23C20/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 封新琴

1.一種膜沉積方法，其包括以下步驟：

將含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂層膜，然后在惰性 氣氛下進行第一熱處理，由此使所述涂層膜形成為硅膜；

在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂層膜，然后在惰性氣氛或者 還原氣氛下進行第二熱處理，由此使所述含有聚硅烷化合物的涂層膜形成 為氧化硅前體膜；和

在氧化氣氛下進行第三熱處理，由此使所述氧化硅前體膜形成為氧化 硅膜，并且同時使所述硅膜致密化。

2.根據權利要求1的膜沉積方法，其中

所述聚硅烷化合物是由Si_nR_m表示的聚硅烷化合物，其中n表示3以上 的自然數；m是(2n-2)以上并且不超過(2n+2)的數；R表示有機鏈狀基團， 有機環狀基團，氫原子，鹵素原子或者金屬原子；和

所述含有聚硅烷化合物的溶液是使所述聚硅烷化合物溶于溶劑而成的 溶液。

3.根據權利要求1的膜沉積方法，其中

第二熱處理在200℃以上并且不高于280℃的溫度在惰性氣氛中進行。

4.根據權利要求2的膜沉積方法，其中

第二熱處理在200℃以上并且不高于280℃的溫度在惰性氣氛中進行。

5.根據權利要求1或2的膜沉積方法，其中

第二熱處理在240℃以上并且不高于280℃的溫度在還原氣氛中進行。

6.根據權利要求1至4中任一項的膜沉積方法，其中

第二熱處理在惰性氣氛中進行；和

第三熱處理的最高溫度高于第二熱處理的最高溫度。

7.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

將含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂層膜，然后在惰性 氣氛下進行第一熱處理，由此使所述涂層膜形成為硅膜；

在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂層膜，然后在惰性氣氛或者 還原氣氛下進行第二熱處理，由此使所述含有聚硅烷化合物的涂層膜形成 為氧化硅前體膜；

在氧化氣氛下進行第三熱處理，由此使所述氧化硅前體膜形成為氧化 硅膜，并且同時使所述硅膜致密化；

在所述氧化硅膜上形成柵電極；和

在所述柵電極的兩側上的硅膜中形成源/漏極區域。

8.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

在基板上形成硅膜，并且使用所述硅膜作為活性層形成薄膜晶體管； 和

在所述基板上形成含氫的氧化硅膜，由此覆蓋所述薄膜晶體管，其中

所述形成硅膜的步驟包括：將含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于所述基 板上，形成涂層膜，然后在惰性氣氛下進行第一熱處理，由此使所述涂層 膜形成為硅膜；和

所述形成含氫的氧化硅膜的步驟包括以下步驟：

形成含有聚硅烷化合物的涂層膜，從而在所述基板上覆蓋所述薄膜晶 體管，然后在還原氣氛下進行第二熱處理，由此使所述含有聚硅烷化合物 的涂層膜形成為氧化硅前體膜；和

在氧化氣氛下進行第三熱處理，由此使所述氧化硅前體膜形成為含氫 的氧化硅膜。