[發明專利]一種高性能量子點-聚合物熒光納米復合材料及其制備方法

無效

• 申請號: 201010104770.2
• 申請日: 2010-01-29
• 公開（公告）號: CN101759946A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 周立;高超
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C08L33/12
• 分類號: C08L33/12;C08L33/14;C08L29/04;C08L25/06;C08L33/26;C08L77/02;C08L77/06;C08L23/06;C08L23/12;C08L67/02;C08K3/36;C08K3/30;C08K9/06
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種高性能量子點-聚合物熒光納米復合材料，其特征在于包括聚合物和具有熒光性能的二氧化硅雜化的量子點；所述量子點為硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅或硫化鉛。

2.根據權利要求1所述的一種高性能量子點-聚合物熒光納米復合材料，其特征在于所述的聚合物為聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸羥乙酯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚丙烯酰胺、尼龍6、尼龍66、尼龍610、聚乙烯、聚丙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。

3.一種如權利要求1所述高性能量子點-聚合物熒光納米復合材料的制備方法，其特征在于：先把1g聚合物用溶劑溶解或將加熱到熔融狀態，再加入0.0002～0.08g粒徑為5～30納米的未修飾的或用硅烷偶聯劑修飾好的二氧化硅雜化的量子點，攪拌2min～24hr后，除去溶劑或自然冷卻，得到量子點-聚合物納米復合材料。

4.根據權利要求3所述的一種高性能量子點-聚合物熒光納米復合材料的制備方法，其特征在于所述的硅烷偶聯劑為3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-巰基丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷或甲基丙稀酸-3-(三甲氧基硅基)丙酯。

5.根據權利要求3所述的一種高性能量子點-聚合物熒光納米復合材料的制備方法，其特征在于所述的未修飾的或用硅烷偶聯劑修飾好的二氧化硅雜化的量子點與聚合物的質量比為0.05～4∶100。