[發明專利]單片式半導體開關及制作方法

有效

• 申請號: 201010104538.9
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN101794781A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: O·黑伯倫;W·里杰;L·戈爾根斯;M·波爾茲爾;J·肖斯沃爾;J·克倫里
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L27/085
• 分類號: H01L27/085;H01L27/088;H01L23/495;H01L21/8232;H01L21/8234;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;王忠忠

1.一種半導體裝置，包含：

一個半導體管芯，具有彼此相對的第一側和第二側，且包含第一 和第二FET；

其中該第一FET的第一源極/漏極與該第二FET的第一源極/漏極 電耦合到該一個半導體管芯的第一側處的至少一個接觸區域；

其中該第一FET的第二源極/漏極、該第一FET的柵極、該第二 FET的第二源極/漏極以及該第二FET的柵極電耦合到該一個半導體管 芯的第二側處的接觸區域；

其中該第一FET的第二源極/漏極的接觸區域、第一FET的柵極 的接觸區域、該第二FET的第二源極/漏極的接觸區域以及該第二FET 的柵極的接觸區域彼此電隔離；

其中從該第一側處的至少一個接觸區域到該第一和第二晶體管 的第一源極/漏極的電連接包括導電栓。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一和第二FET 是n型溝道橫向FET。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一FET是n型 溝道橫向FET且該第二FET是n型溝道溝槽FET，且其中從該第一側 處的第一FET的接觸區域到該第一FET的第一源極/漏極的電連接包 括導電栓。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，還包含與該第二FET的 第一和第二源極/漏極并聯連接的肖特基二極管。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一FET是p型 溝道溝槽FET且該第二FET是n型溝道溝槽FET。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一和第二FET 是n型溝道溝槽FET，該n型溝道溝槽FET包括作為在該一個半導體 管芯的n型半導體基板之上形成的p型外延層的一部分的p型體區域。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中該一個半導體管芯 包含該n型半導體基板、該n型半導體基板上的第一n型外延層以及 該第一n型外延層上的p型外延層的疊層。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，還包含：

延伸穿過該第一FET的區域中的第一n型外延層的導電栓，其中， 分別地，該導電栓的一端與該第一FET的p型體區域接觸而該導電栓 的另一端與該n型半導體基板接觸。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中該疊層包含該p型 外延層上的第二n型外延層。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包含：

分別與該第一FET和該第二FET的溝槽的側壁鄰接的n型半導體 區，且其中，兩個n型半導體區在相鄰兩個溝槽之間的區域中彼此相 對布置。

11.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中該p型外延層位于 該n型半導體基板上。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包含包括單個引線框 架的封裝，該一個半導體管芯經由該第一側安裝在該單個引線框架 上。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，還包含布置在該一個 半導體管芯的第一側上的電容器，該電容器電耦合在該一個半導體管 芯的第二側處的第一和第二FET的源極/漏極的接觸區域之間。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，還包含：

導電夾，分別電耦合在該一個半導體管芯的第二側處的第一和第 二FET的源極/漏極的接觸區域與封裝的引腳之間。

15.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中該封裝的引線框 架在一側暴露，該側與其上安裝有該一個半導體管芯的那側相對。