[發明專利]提高側墻角均勻度的方法有效
| 申請號: | 201010104013.5 | 申請日: | 2010-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN102136419A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發明(設計)人: | 趙林林;張海洋 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛崢;王麗琴 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 墻角 均勻 方法 | ||
1.一種提高側墻角均勻度的方法,應用于柵極刻蝕流程中的抗反射涂層打開Barc?open工序,其特征在于,該方法包括:
根據實驗統計值生成柵極薄膜的厚度與Barc?open工序中使用的刻蝕環境參數的對應關系,在對晶圓進行Barc?open前,測量晶圓上柵極薄膜的厚度;
根據測量得到的柵極薄膜的厚度、以及所述柵極薄膜的厚度與Barc?open工序中使用的刻蝕環境參數的對應關系,設定Barc?open工序中使用的刻蝕環境參數的取值,并采用設定值的刻蝕環境參數進行Barc?open工序。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據實驗統計值生成柵極薄膜的厚度與Barc?open工序中使用的刻蝕環境參數的對應關系的方法包括:
通過實驗得到對于各種柵極薄膜厚度,經過Barc?open工序能夠得到理想側墻角形狀的刻蝕環境參數的經驗值;
利用所述柵極薄膜厚度及其對應的刻蝕環境參數的經驗值,擬合得到表示所述柵極薄膜厚度與Barc?open工序中使用的該刻蝕環境參數對應關系的曲線。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述刻蝕環境參數包括:
刻蝕氣體的濃度、刻蝕氣體的氣壓、流量以及偏置電壓中一個或多個參數的組合。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,當所述刻蝕環境參數為偏置電壓時,所述柵極薄膜的厚度與Barc?open工序中使用的刻蝕環境參數的對應關系為二維坐標平面內一條斜率小于0的直線,其斜率和截距由制程工藝決定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





