[發明專利]一種氧化鋅基透明電極發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201010102817.1
• 申請日: 2010-01-29
• 公開（公告）號: CN101771119A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 王書方;張建華
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/42;H01L33/38
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種氧化鋅基透明電極發光二極管，包括：藍寶石襯底（1）、緩沖層（2）、本征層（3）、n型氮化鎵（4）、量子阱（5）、p型氮化鎵（6）、透明電極（7）、n型金屬電極（8）、p型金屬電極（9）,其特征在于所述緩沖層（2）、本征層（3）、n型氮化鎵（4）、量子阱（5）、p型氮化鎵（6）是在MOCVD中依次生長完畢；所述透明電極（7）是氧化鋅基透明導電薄膜，材質是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In；?所述n型金屬電極（8）是金屬復合電極，該金屬復合電極是Ti/Al或Cr/Pt/Au復合電極；所述n型金屬電極（8）是具有如下特定形狀：處于芯片對角上的圓臺柱形；所述p型金屬電極（9）是金屬復合電極，該金屬復合電極是Ni/Au或Cr/Pt/Au復合電極；所述p型金屬電極（9）是具有如下特定形狀的：呈對角線分布的多交叉枝型，或呈對角線分布的工字型；所述的透明電極（7）為電流擴展層。

2.一種用于根據權利要求1所述的氧化鋅基透明電極發光二極管的制作方法，其特征在于工藝步驟如下：

a.????????????????????用MOCVD的方法在襯底上依次生長緩沖層（2）、本征層（3）、n型氮化鎵（4）、量子阱（5）、p型氮化鎵（6）；

b.????????????????????對外延片進行鎂激活退火處理；

c.????????????????????通過利用ICP干法刻蝕將n型氮化鎵暴露出來，制備出所需芯片結構；

d.????????????????????浮去光刻膠，并使用NaOH或者HF或者王水對外延片進行表面處理；

e.????????????????????通過磁控濺射方法，沉積氧化鋅透明導電薄膜（7）；?

f.????????????????????先浮去光刻膠，再對外延片進行退火處理，一方面降低氧化鋅與氮化鎵之間的接觸電阻，一方面修復刻蝕損傷；

g.????????????????????通過光刻膠或者金屬板掩膜，利用熱蒸發或電子束蒸發的方法沉積n型金屬電極（8）

h.????????????????????通過光刻膠或者金屬板掩膜，利用熱蒸發或電子束蒸發的方法沉積p型金屬電極（9）；

i.????????????????????再次退火處理，進行金屬電極的合金化；

j.????????????????????分割外延片。

3.根據權利要求2所述的氧化鋅基透明電極發光二極管的制作方法，其特征在于先利用ICP干法刻蝕將n型氮化鎵暴露出來，再用掩膜法沉積氧化鋅基透明電流擴展層。