[發明專利]透明電極發光二極管及其制作方法

無效

• 申請號: 201010102725.3
• 申請日: 2010-01-29
• 公開（公告）號: CN101789479A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 王書方;張建華
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/38
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種透明電極發光二極管，包括：藍寶石襯底(1)、緩沖層(2)、本征層(3)、n型氮化鎵(4)、量子阱(5)、p型氮化鎵(6)、透明電極(7)、n型金屬電極(8)、p型金屬電極(9)，其特征在于所述緩沖層(2)、本征層(3)、n型氮化鎵(4)、量子阱(5)、p型氮化鎵(6)是在MOCVD中依次生長完畢。

2.根據權利要求1所述透明電極發光二極管，其特征在于所述的透明電極(7)是氧化鋅基透明導電薄膜，材質是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In。

3.根據權利要求1所述透明電極發光二極管，其特征在于所述的n型金屬電極(8)是金屬復合電極，該復合電極是Ti/Al或Cr/Pt/Au復合電極。

4.根據權利要求1所述透明電極發光二極管，其特征在于所述的n型金屬電極(8)是具有如下特定形狀：四周方框形。

5.根據權利要求1所述透明電極發光二極管，其特征在于所述的p型金屬電極(9)是金屬復合電極，該復合電極是Ni/Au或Cr/Pt/Au復合電極。

6.根據權利要求1所述透明電極發光二極管，其特征在于所述的p型金屬電極(9)是具有如下特定形狀的：呈方框帶對角線形狀，打線點位于中央對角線交叉處。

7.一種制造根據權利1要求所述的透明電極發光二極管的制作方法，其特征在于工藝步驟如下：

a.用MOCVD的方法在襯底上依次緩沖層(2)、本征層(3)、n型氮化鎵(4)、量子阱(5)、p型氮化鎵(6)；

b.對外延片進行鎂激活退火處理；

c.使用化學試劑對外延片進行表面處理，其化學試劑是NaOH或者HF或者王水；

d.通過磁控濺射方法，沉積氧化鋅透明導電薄膜(7)；

e.用濕法腐蝕的方法刻蝕出所設計的氧化鋅透明導電薄膜(7)圖形；

f.通過ICP干法刻蝕將n型氮化鎵暴露出來，制備出所需芯片結構；

g.對外延片進行退火處理，一方面降低氧化鋅與氮化鎵之間的接觸電阻，一方面修復刻蝕損傷；

h.通過熱蒸發或電子束蒸發的方法沉積n型金屬電極(8)

i.通過熱蒸發或電子束蒸發的方法沉積p型金屬電極(9)；

j.再次退火處理，進行金屬電極的合金化；

k.分割外延片。