[發(fā)明專利]一種基于磁真空泄漏原理的漏磁檢測(cè)方法及其裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010102557.8 | 申請(qǐng)日： | 2010-01-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101776643A | 公開（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 康宜華;孫燕華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01N27/83 | 分類號(hào)： | G01N27/83 |
| 代理公司： | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 真空 泄漏 原理 檢測(cè) 方法 及其 裝置 | ||
1.一種基于磁真空泄漏原理的漏磁檢測(cè)方法，該方法步驟包括：
第1步、將待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件磁化；
第2步、在上述被磁化的導(dǎo)磁構(gòu)件外圍，剔除已有背景磁場(chǎng)，形成磁真空區(qū)域；
第3步、采用磁敏元件布置于磁真空區(qū)域，拾取無磁壓縮效應(yīng)的缺陷漏磁場(chǎng)并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，如果電壓信號(hào)中存在突變，則說明待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件1中存在缺陷，否則無缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漏磁檢測(cè)方法，其特征在于：第2步中，利用鐵磁性的磁屏蔽塊靠近待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件，在導(dǎo)磁構(gòu)件外圍區(qū)域收集背景磁場(chǎng)，形成磁真空區(qū)域。
3.一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的漏磁檢測(cè)方法的裝置，其特征在于：穿過式線圈(6)套在待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件(1)外，磁屏蔽塊5位于穿過式線圈(6)的內(nèi)腔，形成磁真空區(qū)域(3)，磁敏霍爾元件(4)布置于磁屏蔽塊(5)與待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件(1)之間，磁敏霍爾元件(4)依次經(jīng)過放大器、濾波器和A/D轉(zhuǎn)換器與數(shù)據(jù)處理器相連。
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