[發明專利]形成金屬互連的方法無效
| 申請號: | 201010102434.4 | 申請日: | 2010-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN102136451A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發明(設計)人: | 南基旭 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 董巍;顧珊 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 金屬 互連 方法 | ||
1.一種形成金屬互連的方法,所述方法包括:
在前端器件層上依次形成層間介電層、第一阻擋層、金屬層和第二阻擋層;
對所述第二阻擋層、所述金屬層和所述第一阻擋層進行刻蝕,以露出所述金屬層的側壁;
對所述金屬層進行冷凝處理和光照射處理,并通入氧化性氣體,以在所述側壁上形成鈍化層。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述刻蝕步驟的刻蝕劑為氯氣或含氯氣體。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述金屬層是鋁金屬層。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述鈍化層為氧化鋁層。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述光照射處理照射的光選自紫外光、深紫外光或極紫外光。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述氧化性氣體包括臭氧、氧氣或其它含氧氣體中的一種或幾種。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述氧化性氣體是臭氧。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述臭氧的流速為500~5000sccm。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述照射時間大于或等于20秒,小于或等于冷凝腔室內的工藝時間與通過機械臂將晶片從冷凝腔室轉移到外界的時間之差。
10.一種根據權利要求1所述的方法制造的電子設備,其中所述電子設備選自個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機和數碼相機。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





