[發明專利]微電容MOS變容管和變容二極管的開路去嵌測試結構

有效

• 申請號: 201010102404.3
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN102136465A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 蔣立飛;吳顏明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L29/93;H01L29/94
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種微電容MOS變容管和變容二極管的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述開路去嵌測試結構包括：多個金屬層和有源區；

所述多個金屬層包括頂金屬層，與所述有源區連接的第1金屬層和所述頂金屬層與所述第1金屬層之間的至少一個中間金屬層，所述第1金屬層包括一個回路；

所述頂金屬層分為四個互不相連的區域，所述區域包括：分別與兩個信號端口連接的兩個信號端口頂金屬層區域，及分別將位于所述兩個信號端口連線方向同側的兩個相鄰接地端口連接在一起的兩個接地端口頂金屬層區域；

所述中間金屬層包括與所述信號端口頂金屬層區域相應的位于信號端口頂金屬層區域下的中間金屬層區域和與所述接地端口頂金屬層區域相應的位于接地端口頂金屬層區域下的中間金屬層區域，所述位于信號端口頂金屬層區域下的中間金屬層區域和所述位于接地端口頂金屬層區域下的中間金屬層區域的覆蓋范圍均在相應的所述信號端口頂金屬層區域和所述接地端口頂金屬層區域的覆蓋范圍內；

所述接地端口頂金屬層區域和所述位于接地端口頂金屬層區域下的中間金屬層區域和所述第1金屬層的回路逐層連接；

至少去除一層所述位于信號端口頂金屬層區域下的中間金屬層區域，實現斷開所述信號端口頂金屬層區域與所述第1金屬層的連接。

2.根據權利要求1所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述中間金屬層有7個，包括：按與所述有源區之間的距離由小到大依次排列的第2金屬層至第8金屬層；

所述接地端口頂金屬層區域和位于接地端口頂金屬層區域下的第8金屬層區域至第2金屬層區域以及所述第1金屬層的回路逐層連接；

至少去除位于信號端口頂金屬層區域下的第8金屬層區域至第2金屬層區域中的任意一層，實現斷開所述信號端口頂金屬層區域與所述第1金屬層的連接。

3.根據權利要求2所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述至少去除所述位于信號端口頂金屬層區域下的第8金屬層區域至第2金屬層區域中的任意一層包括：去除所述位于信號端口頂金屬層區域下的第2金屬層區域，所述信號端口頂金屬層區域與所述位于信號端口頂金屬層區域下的第8金屬層區域至第3金屬層區域逐層連接。

4.根據權利要求2所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述多個金屬層之間和所述第1金屬層與所述有源區之間通過通孔連接。

5.根據權利要求4所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述頂金屬層與所述第8金屬層間的通孔為直徑較大的雙列通孔，所述第8金屬層至第1金屬層間和所述第1金屬層和所述有源區間的通孔為直徑較小的三列通孔。

6.根據權利要求2所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述位于所述接地端口頂金屬層區域下的第8金屬層區域至第2金屬層區域有相同的結構和連接關系。

7.根據權利要求2所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述位于所述信號端口頂金屬層區域下的第8金屬層區域至第2金屬層區域有相同的結構和連接關系。

8.根據權利要求1所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述多個金屬層的尺寸與所述微電容MOS變容管或變容二極管的尺寸相匹配。

9.根據權利要求8所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述多個金屬層的尺寸包括所述多個金屬層的寬度和長度。

10.根據權利要求1所述的開路去嵌測試結構，其特征在于，所述變容二極管包括PN結變容二極管。