[發(fā)明專利]一種薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010102375.0
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN102141450A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王禎貞
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G01L1/00
• 分類號: G01L1/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法，其特征在于，包括：

步驟1，通過沉積工藝和紫外線固化工藝形成參考薄膜，其中，采用曲率半徑量測法測得所述參考薄膜的應(yīng)力值，而且，在沉積工藝后和紫外線固化工藝后分別測得所述參考薄膜的第一平均厚度值和第二平均厚度值，并根據(jù)該第一平均厚度值和第二平均厚度值計算所述參考薄膜的平均收縮率；

步驟2，改變沉積工藝和紫外線固化工藝的工藝參數(shù)后再執(zhí)行步驟1，如此重復(fù)至少三次以得到對應(yīng)的一組應(yīng)力值和一組平均收縮率；

步驟3，根據(jù)所述對應(yīng)的一組應(yīng)力值和一組平均收縮率繪制標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)力-收縮率關(guān)系曲線；

步驟4，監(jiān)測待測薄膜時，通過沉積工藝和紫外線固化工藝形成所述待測薄膜，其中，在沉積工藝后測量所述待測薄膜的不同位置的第一厚度值，而在紫外線固化工藝后測得對應(yīng)位置的第二厚度值，并根據(jù)所述不同位置的第一厚度值和第二厚度值計算對應(yīng)的收縮率以得到所述待測薄膜的收縮率分布，然后依據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)力-收縮率關(guān)系曲線得到所述待測薄膜的應(yīng)力值和應(yīng)力分布。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法，其特征在于，收縮率的計算公式為：

T1-T2T1,]]>

其中，S為收縮率，T1為第一厚度值，T2為第二厚度值。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法，其特征在于，步驟3中通過線性擬合得到標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)力-收縮率關(guān)系曲線，其滿足統(tǒng)計學(xué)中線性相關(guān)的要求。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法，其特征在于，還包括根據(jù)所述待測薄膜的應(yīng)力分布以及標(biāo)準(zhǔn)方差計算公式得到所述待測薄膜的應(yīng)力分布非均勻度。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法，其特征在于，沉積工藝和紫外線固化工藝的工藝參數(shù)包括反應(yīng)氣體、溫度、功率以及時間。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的薄膜應(yīng)力分布的監(jiān)測方法，其特征在于，沉積工藝為等離子體加強化學(xué)氣相沉積工藝。