[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010102373.1
• 申請(qǐng)日: 2010-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102142283A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝君強(qiáng);張啟華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/56
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/56
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，用于判斷所述非易失性存儲(chǔ)器是否適合繼續(xù)進(jìn)行可靠性測(cè)試，所述非易失性存儲(chǔ)器包括：

多條字線；

與所述多條字線交叉設(shè)置的多條位線；以及

多個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元，其配置在所述多條字線和所述多條位線的各個(gè)交點(diǎn)處，每一非易失性存儲(chǔ)單元具有浮置柵和控制柵，

其特征在于，所述測(cè)試方法包括：

a，選定任意一條字線或位線上的一組非易失性存儲(chǔ)單元；

b，對(duì)所述選定的一組非易失性存儲(chǔ)單元中奇數(shù)位非易失性存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)后，量測(cè)第一漏電流值；

c，對(duì)所述選定的一組非易失性存儲(chǔ)單元中偶數(shù)位非易失性存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)后，量測(cè)第二漏電流值；

d，對(duì)所述選定的一組非易失性存儲(chǔ)單元均寫(xiě)入數(shù)據(jù)后，量測(cè)第三漏電流值；

e，判斷所述第一漏電流值與所述第二漏電流值之和與所述第三漏電流值的差是否在容許范圍內(nèi)，若不在容許范圍內(nèi)，則所述非易失性存儲(chǔ)器存在瑕疵，不適合繼續(xù)進(jìn)行可靠性測(cè)試，

其中，步驟b、c、d的順序能夠互換。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，其特征在于，若步驟e中，判斷結(jié)果在容許范圍之內(nèi)，則循環(huán)步驟a～e，直至測(cè)試完所述非易失性存儲(chǔ)器的所有字線或所有位線。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，其特征在于，所述非易失性存儲(chǔ)器為閃存。

4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，其特征在于，所述非易失性存儲(chǔ)器為電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，其特征在于，所述容許范圍為不大于1微安。

6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，其特征在于，采用量測(cè)單元量測(cè)所述第一漏電流值、第二漏電流值以及第三漏電流值，所述量測(cè)單元的測(cè)量精度為納安級(jí)，工作溫度為常溫。