[發明專利]非易失性存儲器的測試方法有效
| 申請號: | 201010102373.1 | 申請日: | 2010-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN102142283A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發明(設計)人: | 謝君強;張啟華 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/56 | 分類號: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 20120*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 測試 方法 | ||
1.一種非易失性存儲器的測試方法,用于判斷所述非易失性存儲器是否適合繼續進行可靠性測試,所述非易失性存儲器包括:
多條字線;
與所述多條字線交叉設置的多條位線;以及
多個非易失性存儲單元,其配置在所述多條字線和所述多條位線的各個交點處,每一非易失性存儲單元具有浮置柵和控制柵,
其特征在于,所述測試方法包括:
a,選定任意一條字線或位線上的一組非易失性存儲單元;
b,對所述選定的一組非易失性存儲單元中奇數位非易失性存儲單元寫入數據后,量測第一漏電流值;
c,對所述選定的一組非易失性存儲單元中偶數位非易失性存儲單元寫入數據后,量測第二漏電流值;
d,對所述選定的一組非易失性存儲單元均寫入數據后,量測第三漏電流值;
e,判斷所述第一漏電流值與所述第二漏電流值之和與所述第三漏電流值的差是否在容許范圍內,若不在容許范圍內,則所述非易失性存儲器存在瑕疵,不適合繼續進行可靠性測試,
其中,步驟b、c、d的順序能夠互換。
2.如權利要求1所述的非易失性存儲器的測試方法,其特征在于,若步驟e中,判斷結果在容許范圍之內,則循環步驟a~e,直至測試完所述非易失性存儲器的所有字線或所有位線。
3.如權利要求1所述的非易失性存儲器的測試方法,其特征在于,所述非易失性存儲器為閃存。
4.如權利要求1所述的非易失性存儲器的測試方法,其特征在于,所述非易失性存儲器為電可擦寫可編程只讀存儲器。
5.如權利要求1~4中任一項所述的非易失性存儲器的測試方法,其特征在于,所述容許范圍為不大于1微安。
6.如權利要求1所述的非易失性存儲器的測試方法,其特征在于,采用量測單元量測所述第一漏電流值、第二漏電流值以及第三漏電流值,所述量測單元的測量精度為納安級,工作溫度為常溫。
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