[發明專利]一種功率MOS管及其制造方法

無效

• 申請號: 201010102371.2
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN101777500A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 張雨;克里絲;劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種功率MOS管制造方法，其包括以下步驟：a、提供具有有源區和終端結構區的硅襯底；b、在該終端結構區上制造終端結構；c、在該有源區上制作柵、源、漏極；其特征在于，步驟b包括以下步驟：b1、在該硅襯底上制作緩沖層和硬掩模層；b2、進行光刻和刻蝕工藝在該硬掩模層和緩沖層上形成凹槽圖形；b3、在硬掩模的遮蔽下進行刻蝕工藝以在終端結構區上形成凹槽；b4、進行氧化工藝在凹槽中形成終端結構；b5、去除硬掩模層和緩沖層。

2.如權利要求1所述的功率MOS管制造方法，其特征在于，該緩沖層和硬掩模層分別為氧化硅和氮化硅。

3.如權利要求2所述的功率MOS管制造方法，其特征在于，在步驟b1中，通過化學氣相沉積工藝沉積氮化硅，通過熱氧化工藝制作氧化硅。

4.如權利要求1所述的功率MOS管制造方法，其特征在于，該終端結構為局部硅氧化隔離結構。

5.如權利要求1所述的功率MOS管制造方法，其特征在于，在步驟b4中，該氧化工藝為熱氧化工藝，其氧化溫度范圍為900至1000攝氏度。

6.一種通過權利要求1的功率MOS管制造方法制成的功率MOS管，其具有有源區和終端結構區，其特征在于，該終端結構區具有凹槽，終端結構設置在該凹槽中。

7.如權利要求6所述的功率MOS管，其特征在于，該終端結構環繞在該有源區外，該終端結構的外側環繞有切割道。