[發明專利]PVDF有機聚合物薄膜電容器的光刻制備方法

有效

• 申請號: 201010101878.6
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN101777424A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 李超;孫璟蘭;孟祥建;王建祿;田莉;喬輝;張燕;李向陽
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/14;H01G4/005;H01L21/02
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，器件制備包括以下步驟：

(1)在襯底上利用熱蒸發設備低溫沉積金屬底電極；

(2)在底電極上濺射生長二氧化硅或氮化硅介電絕緣層；

(3)光刻腐蝕二氧化硅或氮化硅介電絕緣層，形成PVDF有機聚合物薄膜的功能區開孔；

(4)溶膠凝膠法或LB膜法制備PVDF有機聚合物薄膜；

(5)在PVDF有機聚合物薄膜上利用熱蒸發設備低溫沉積金屬上電極；

(6)光刻腐蝕金屬上電極；

(7)氧等離子體刻蝕去除非功能區PVDF有機聚合物薄膜及殘余光刻膠；

(8)在金屬上電極上熱蒸發低溫沉積包裹電極；

(9)光刻腐蝕去除多余包裹電極，完成PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的制備。

2.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的襯底為藍寶石、硅、氮化鎵或ITO玻璃。

3.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的金屬底電極為熱蒸發低溫沉積的鋁電極，電極為長方形結構，厚度不小于100nm。

4.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的介電絕緣層為磁控濺射生長二氧化硅或氮化硅絕緣層，介電絕緣層邊緣位于襯底上，介電絕緣層為孔型，介電絕緣層將部分金屬底電極包裹起來，開孔略小于器件的功能區面積，厚度不小于300nm。

5.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的介電絕緣層采用氫氟酸腐蝕開孔。

6.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的有機聚合物薄膜為溶膠凝膠法或LB膜法制備的PVDF薄膜，厚度為30nm-300nm。

7.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的金屬上電極為熱蒸發低溫沉積的鋁電極，該金屬上電極面積與PVDF有機聚合物薄膜功能區面積相同。

8.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的金屬上電極多余區域采用磷酸腐蝕液腐蝕。

9.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的非功能區PVDF有機聚合物薄膜及殘余光刻膠采用氧等離子體刻蝕同時去除。

10.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的包裹電極為熱蒸發低溫沉積的厚度不小于150nm的金電極，電極為長方形結構，與下電極交叉成十字，邊緣落在介電絕緣層上，其面積大于金屬上電極面積，將PVDF有機聚合物薄膜側面及電容器上電極包裹起來。

11.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜電容器器件的光刻制備方法，其特征在于，其中所述的多余包裹電極采用腐蝕工藝去除，腐蝕液為質量比1∶4∶10的碘、碘化氨和水溶液。