[發明專利]用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路有效
| 申請號: | 201010101602.8 | 申請日: | 2010-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN101782790A | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發明(設計)人: | 李應天 | 申請(專利權)人: | 燦芯半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G05F3/16 | 分類號: | G05F3/16 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 張妍 |
| 地址: | 201203 上海市張江高*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 功率 芯片 基準 電壓 偏置 電流 產生 電路 | ||
1.一種用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路,其特征在于,包含依 次電路連接的啟動截止電路(101)、偏置電流產生電路(102)、基準電壓 產生電路(103),還包含電路連接所述偏置電流產生電路(102)的電流 鏡電路(104)、分別電路連接所述啟動截止電路(101)、偏置電流產生電 路(102)、基準電壓產生電路(103)和電流鏡電路(104)的低壓偏置電 源電路(105),以及,電路連接所述電流鏡電路(104)的偏置電流輸出 電路(106);
偏置電流產生電路(102)產生偏置電流PTAT;
偏置電流流過基準電壓產生電路(103),產生基準電壓VBG;
電流鏡電路(104)將偏置電流PTAT鏡象復制給低壓偏置電源電路 (105)和偏置電流輸出電路(106),由低壓偏置電源電路(105)給偏置 電流產生電路(102)、基準電壓產生電路(103)和電流鏡電路(104)提 供電流,偏置電流輸出電路(106)則將偏置電流PTAT傳輸給功率芯片 的內部電路和其他電路;
啟動截止電路(101)產生啟動電流傳輸給偏置電流產生電路(102), 使得偏置電流產生電路(102)導通并產生偏置電流PTAT,偏置電流又 經過電流鏡電路(104)使低壓偏置電源電路(105)導通并得到正確偏置, 使得低壓偏置電源電路(105)可以對偏置電流產生電路(102)、基準電 壓產生電路(103)和電流鏡電路(104)進行供電,一旦低壓偏置電源電 路(105)導通,啟動截止電路(101)產生截止信號,啟動結束,整個電 路進入正常工作狀態;
P溝道金屬氧化物半導體管MP1,MP2,N溝道金屬氧化物半導體 管MN1,MN2,三級管Q1,Q2,P溝道金屬氧化物半導體管MP8,以 及電阻R1構成了偏置電流產生電路(102),產生的PTAT電流為:
Iptat=ΔVBE/R1,
其中,ΔVBE=VBE_Q2-VBE_Q1,VBE_Q1和VBE_Q2分別是三級 管Q1和Q2的基級-發射級電壓;
P溝道金屬氧化物半導體管MP3,電阻R2和三級管Q3構成了基準 電壓產生電路(103),電流鏡MP3復制偏置電流產生電路(102)產生的 PTAT電流,并使該偏置電流流過電阻R2和三級管Q3,從而產生基準電 壓為:
VBG=VBE_Q3+(R2/R1)×ΔVBE,
其中,VBE_Q3是三級管Q3的基級-發射級電壓。
2.如權利要求1所述的用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路,其特 征在于,所述的偏置電流產生電路(102)和基準電壓產生電路(103)為 低壓電路。
3.如權利要求1所述的用于功率芯片的基準電壓和偏置電流產生電路,其特 征在于,所述的電流鏡電路(104)、低壓偏置電源電路(105)和偏置電 流輸出電路(106)為高壓電路。
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