[發(fā)明專利]四氟化硅氣合成的改進(jìn)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010101067.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-01-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101811700A | 公開(公告)日: | 2010-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 維塞爾·雷萬卡;桑吉夫·拉郝蒂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 維塞爾·雷萬卡;桑吉夫·拉郝蒂 |
| 主分類號(hào): | C01B33/107 | 分類號(hào): | C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京嘉和天工知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11269 | 代理人: | 甘玲 |
| 地址: | 美國(guó)德*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氟化 合成 改進(jìn) 方法 | ||
1.一種從金屬氟化物生產(chǎn)四氟化硅的方法,所述方法包括:
(a)煅燒并混合進(jìn)料與硅石,以生產(chǎn)氟硅酸鹽復(fù)合物;
(b)使所述氟硅酸鹽復(fù)合物與硫酸反應(yīng),以生產(chǎn)四氟化硅和金屬硫酸鹽;以及
(c)洗滌所述四氟化硅,以移除過量的濕氣、塵和其他酸性氣體,
其中所述進(jìn)料顆粒和硅石在從200微米到600微米范圍的尺寸,并且其中煅燒所述進(jìn) 料在從300℃到400℃范圍的溫度發(fā)生。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中煅燒所述進(jìn)料在從3到25分鐘的停留時(shí)間發(fā)生。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中使所述氟硅酸鹽復(fù)合物與硫酸反應(yīng)在從100℃到 500℃范圍的溫度發(fā)生。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述硫酸的量是直到20%的化學(xué)計(jì)量過量。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述硫酸具有從50到100%范圍的濃度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述硫酸具有從98到100%范圍的濃度。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中在所述進(jìn)料中有99%轉(zhuǎn)化效率的所述金屬氟化物。
8.如權(quán)利要求4所述方法,其中所述過量的硫酸被再循環(huán)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述金屬氟化物是氟化鋁鈉。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其中所述氟化鋁鈉從硅烷制造方法中被再循環(huán)。
11.如權(quán)利要求1所述方法,其中內(nèi)部再循環(huán)增加了所述四氟化硅的收率。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于維塞爾·雷萬卡;桑吉夫·拉郝蒂,未經(jīng)維塞爾·雷萬卡;桑吉夫·拉郝蒂許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010101067.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





