[發(fā)明專利]半導(dǎo)體高壓器件的結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010100430.2
• 申請日: 2010-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN102136495A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉遠(yuǎn)良;王飛;韓峰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L21/306
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種半導(dǎo)體高壓器件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體高壓器件呈左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu)，靠近對(duì)稱軸的位置設(shè)置有高壓晶體管結(jié)構(gòu)，在所述高壓晶體管的外圍設(shè)置有多個(gè)同心的環(huán)狀PN結(jié)，在最外層的PN結(jié)外側(cè)設(shè)置有與環(huán)狀PN結(jié)同心的終端環(huán)溝槽，所述終端環(huán)溝槽內(nèi)填充有氧化硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體高壓器件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述環(huán)狀PN結(jié)的個(gè)數(shù)為3個(gè)。

3.一種如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體高壓器件的結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括先在硅襯底上光刻和刻蝕形成終端環(huán)溝槽；然后在終端環(huán)溝槽內(nèi)填充氧化硅，并用回刻工藝去除表面的氧化硅，露出外延表面，保證硅片表面的平整；然后按照功率MOS器件制造的正常工藝流程完成生產(chǎn)過程。