[發(fā)明專利]摻鎵氧化鋅晶體的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010100183.6
• 申請(qǐng)日: 2010-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101748485A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左艷彬;盧福華;張昌龍;覃世杰;李東平;何小玲;王金亮;周海濤;周衛(wèi)寧;張海霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桂林礦產(chǎn)地質(zhì)研究院
• 主分類號(hào): C30B29/16
• 分類號(hào): C30B29/16;C30B7/10;C01G9/02
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 蘇家達(dá)

1.摻鎵氧化鋅晶體的制備方法，其特征在于：在高壓釜中，以氟化物水溶液為礦化劑生長(zhǎng)摻鎵氧化鋅晶體的方法。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻鎵氧化鋅晶體的制備方法，其特征在于具體步驟包括：

1)將培養(yǎng)料置于黃金襯套管底部，在培養(yǎng)料的上方放置一有開(kāi)孔的黃金擋板，將培養(yǎng)料溶解區(qū)和晶體生長(zhǎng)區(qū)隔開(kāi)；其中，培養(yǎng)料為含有鎵的氧化鋅陶瓷顆粒，或者是含有鎵的氧化鋅結(jié)晶顆粒，或者是氧化鋅陶瓷顆粒和氧化鎵粉末的混合物，或者是氧化鋅結(jié)晶顆粒與氧化鎵粉末的混合物，其中，氧化鋅和氧化鎵的質(zhì)量比為100∶0.01～40。

2)按70～85％的填充度，向黃金襯套管中加入氟離子濃度為3～6mol/L的氟化物水溶液，并在黃金襯套管的頂部懸掛籽晶，之后將黃金襯套管密封，放入高壓釜中，在黃金襯套管和高壓釜的夾層加入一定量去離子水或蒸餾水，然后將高壓釜密封；

3)將密封后的高壓釜置于兩段加熱的電阻爐內(nèi)加熱，調(diào)節(jié)溶解區(qū)平均溫度為340～430℃，生長(zhǎng)區(qū)平均溫度為330～420℃，且溶解區(qū)和生長(zhǎng)區(qū)的溫差為10～50℃，調(diào)節(jié)壓力為80～120MPa，經(jīng)過(guò)10～90天恒溫生長(zhǎng)，得到摻鎵氧化鋅晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的摻鎵氧化鋅晶體的制備方法，其特征在于：所述的氟化物為選自氟化鉀、氟化鈉、氟化銨和氟化鋰中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的摻鎵氧化鋅晶體的制備方法，其特征在于：所述含有鎵的氧化鋅陶瓷顆粒是將高純氧化鋅粉末和氧化鎵粉末按100∶0.01～40的比例壓制成塊，于馬弗爐用鉑金坩堝在1000～1200℃下燒結(jié)12～48小時(shí)，冷卻后切割得到。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的摻鎵氧化鋅晶體的制備方法，其特征在于：所述籽晶為以(0001)或(1010)面研磨拋光成的片狀ZnO晶體。