[發明專利]壓電薄膜換能器雙端共濺生長ZnO薄膜的方法有效
| 申請號： | 201010042080.9 | 申請日： | 2010-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN101736305A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 湯勁松;朱昌安;鄭澤漁;周勇;李仁揮 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212 | 代理人： | 李海華 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 薄膜 換能器雙端共濺 生長 zno 方法 | ||
【權利要求書】：
1.壓電薄膜換能器雙端共濺生長ZnO薄膜的方法，它采用反應磁控濺射法在晶體兩端生長ZnO薄膜，晶體附著在夾具上，其特征在于：生長時，將晶體的兩端對稱于靶源中心線放置使晶體兩端處于完全相同的輝光區包裹中，利用同一靶源在晶體兩端同時生長出ZnO薄膜；所述晶體與靶源平行。
2.根據權利要求1所述的壓電薄膜換能器雙端共濺生長ZnO薄膜的方法，其特征在于：磁控濺射工藝參數為VDC：300～320V，IDC：0.6～0.7A，靶基距80～90mm，工作氣壓1.2～1.5Pa，襯底溫度260～300℃，氧氣流量140～160sccm。
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