[發明專利]按照壓力接觸方式實施的功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201010004906.2
• 申請日: 2010-01-20
• 公開（公告）號: CN101794742A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 馬庫斯·克內貝爾;彼得·貝克達爾
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/473
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.按照壓力接觸方式實施的功率半導體模塊，用于設置在冷卻構 件（12）上，所述功率半導體模塊具有至少一個襯底（14）和壓力裝 置（26），在所述襯底（14）上設置有功率半導體器件（20），所述 壓力裝置（26）用于使所述功率半導體器件（20）在所述至少一個襯 底（14）上壓力接觸導通，以及用于將所述至少一個襯底（14）以導 熱的方式設置在所述冷卻構件（12）上，

其特征在于，

將所述壓力裝置（26）構造為主動式冷卻裝置（28），冷卻介質 穿流所述壓力裝置（26）的所述主動式冷卻裝置（28），所述主動式 冷卻裝置（28）的所述冷卻介質由冷卻液形成；

設置所述壓力裝置（26）的所述主動式冷卻裝置（28），用于使 接觸元件（24）在所述功率半導體器件（20）及在所述至少一個襯底 （14）的電路結構（18）上壓力接觸導通，和/或用于使負載連接元件 （44）與所述至少一個襯底（14）的所述電路結構（18）壓力接觸導 通；

將所述接觸元件（24）設置在柔性印刷電路板（22）上。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，

其特征在于，

所述壓力裝置（26）的所述主動式冷卻裝置（28）具有導熱管。

3.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，

其特征在于，

所述負載連接元件（44）分別具有與所述至少一個襯底（14）平 行的帶狀段（46），接觸腳（48）從所述帶狀段（46）伸出。

4.根據權利要求1至3之一所述的功率半導體模塊，

其特征在于，

所述壓力裝置（26）的所述主動式冷卻裝置（28）構成橋式元件 （36），所述橋式元件（36）與壓板（38）和彈性壓力蓄能器（40） 組合，其中，所述壓板（38）與所述冷卻構件（12）以機械的方式夾 緊。