[發明專利]具有保護層的半導體發光元件有效

申請號：	201010004583.7	申請日：	2010-01-19
公開（公告）號：	CN102130261A	公開（公告）日：	2011-07-20
發明（設計）人：	姚久琳;呂志強	申請（專利權）人：	晶元光電股份有限公司
主分類號：	H01L33/44	分類號：	H01L33/44;H01L25/075
代理公司：	北京市柳沈律師事務所 11105	代理人：	陳小雯
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有保護層半導體發光元件
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【權利要求書】：

1.一種發光元件，至少包含：

散熱基板；

第一連接層位于該散熱基板之上；

保護層位于該第一連接層之上，其中該保護層具有高絕緣性；

第二連接層位于該保護層之上；以及

發光單元包含外延結構且位于該第二連接層之上，其中該外延結構至少包含第一電性半導體層、第二電性半導體層、以及活性層介于該第一電性半導體層及該第二電性半導體層之間，且該保護層可避免該發光單元與該散熱基板之間形成漏電路徑。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中還包含反射層位于該第一連接層與該保護層之間；以及附著層位于該反射層與該保護層之間。

3.如權利要求1所述的發光元件，其中該外延結構中至少具有一個粗化界面，以增加該外延結構的出光效率。

4.如權利要求1所述的發光元件，其中該保護層為無摻雜雜質的氮化鎵或無摻雜雜質的III-V族材料所組成。

5.如權利要求2所述的發光元件，其中該反射層為鋁、銀或其它高反射率材料所組成；該附著層為氧化銦錫、氧化鋅所組成。

6.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一連接層可由焊錫、低溫金屬、及金屬硅化物等所組成，如PbSn、AuGe、AuBe、AuSi、Sn、In、PdIn；形成該第二連接層材料可為BCB、Epoxy、SOG、SU8等高分子材料，或為氧化物如TiO₂、Ti₂O₅、Ta₂O₃、Ta₂O₅、ITO、AZO、ZnO及Al₂O₃，或氮化物如SiON_X、SiN_X、GaN、AlN，或diamond。

7.一種發光裝置，至少包含：

散熱基板；

第一連接層位于該散熱基板之上；

保護層位于該第一連接層之上；

第二連接層位于該保護層之上；

微管芯發光模塊位于該第二連接層之上，其中該發光模塊具有至少二微管芯，且每一微管芯均具有至少一活性層；以及

導電結構，電性連接該各微管芯。

8.如權利要求7所述的發光裝置，其中該導電結構可使各微管芯的各活性層在直流電或交流電操作下發光。

9.如權利要求7所述的發光裝置，其中還包含反射層位于該第一連接層與該保護層之間；以及附著層位于該反射層與該保護層之間。

10.如權利要求7所述的發光裝置，其中該保護層為無摻雜雜質的氮化鎵或無摻雜雜質的III-V族材料所組成。

11.如權利要求9所述的發光裝置，其中該反射層為鋁、銀或其它高反射率材料所組成；該附著層為氧化銦錫、氧化鋅所組成。

12.如權利要求7所述的發光裝置，其中各微管芯間的電性連接包含串聯或并聯。

13.如權利要求7所述的發光裝置，其中各微管芯具有相同波長或相異波長。

14.如權利要求7所述的發光裝置，其中該第一連接層可由焊錫、低溫金屬、及金屬硅化物等所組成，如PbSn、AuGe、AuBe、AuSi、Sn、In、PdIn；形成該第二連接層材料可為BCB、Epoxy、SOG、SU8等高分子材料，或為氧化物如TiO₂、Ti₂O₅、Ta₂O₃、Ta₂O₅、ITO、AZO、ZnO及Al₂O₃，或氮化物如SiON_X、SiN_X、GaN、AlN，或diamond。