[發明專利]半導體裝置的互連布線結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010004282.4
• 申請日: 2010-01-20
• 公開（公告）號: CN101937877A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 姜春守
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/108;H01L23/52
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊林森;康建峰

1.一種半導體裝置的互連布線結構的制造方法，所述方法包括：

形成隔離區，其中所述隔離區在相對于半導體襯底的斜方向配置有源區；

形成第一層間絕緣層于所述有源區上；

形成位線接觸部，其中所述位線接觸部穿過第一層間絕緣層，以及所述位線接觸部耦接至所述有源區；

形成第二層間絕緣層，其中第二層間絕緣層覆蓋所述位線接觸部；

通過選擇性蝕刻第二層間絕緣層來形成第一鑲嵌溝槽，其中第一鑲嵌溝槽使所述位線接觸部的上部分暴露；

形成位線，其中所述位線填充第一鑲嵌溝槽；

通過選擇性蝕刻在所述位線之間的第二層間絕緣層的部分和在所述位線下方的第一層間絕緣層的部分來形成第二鑲嵌溝槽，其中第二鑲嵌溝槽使所述有源區的一部分暴露；

附著溝槽間隔物于第二鑲嵌溝槽的側壁上；

形成儲存節點接觸線，其中所述儲存節點接觸線填充第二鑲嵌溝槽；

形成具有線狀的掩模，其中所述掩模與所述儲存節點接觸線相交；

通過選擇性蝕刻以所述掩模所暴露的所述儲存節點接觸線的部分來形成節點隔離溝，其中所述節點隔離溝將所述儲存節點接觸線分隔成儲存節點接觸部；以及

形成第三層間絕緣層，其中第三層間絕緣層填充及絕緣所述節點隔離溝。

2.如權利要求1的方法，進一步包括形成埋入式柵極，其中所述埋入式柵極延伸以與所述有源區相交。

3.如權利要求2的方法，其中形成埋入式柵極的步驟包括：

形成柵極溝槽，其中所述柵極溝槽與所述有源區相交；

形成用于柵極的金屬層，其中所述金屬層局部地填充所述柵極溝槽；

形成覆蓋層于所述金屬層上，其中所述覆蓋層填充柵極的剩余部分；以及

形成第一停止層于所述半導體襯底上，其中第一停止層覆蓋柵極覆蓋層。

4.如權利要求1的方法，其中形成位線接觸部的步驟包括：

形成位線接觸孔，其中所述位線接觸孔穿過第一層間絕緣層；

在所述位線接觸孔的側壁上形成用于控制所述位線接觸部的臨界尺寸的孔間隔物；

形成導電層，其中所述導電層填充所述位線接觸孔；以及

通過平坦化所述導電層來實施節點隔離。

5.如權利要求4的方法，其中所述節點隔離包括對所述導電層進行化學機械拋光，以便拋光及移除所述孔間隔物的上端。

6.如權利要求1的方法，進一步包括形成第二停止層，其中第二停止層在第一層間絕緣層與第二層間絕緣層之間的界面中延伸，以覆蓋所述位線接觸部，使得在第一鑲嵌溝槽的形成時第二停止層被檢測為蝕刻停止點。

7.如權利要求6的方法，進一步包括：

形成具有連接至所述儲存節點接觸部的儲存節點的電容器；

形成第四層間絕緣層，其中第四層間絕緣層覆蓋所述電容器；

形成接觸孔，其中所述接觸孔穿過在所述半導體襯底的周邊區上的第四層間絕緣層及第二層間絕緣層，以及其中所述接觸孔與第二位線對齊，以及其中第二停止層防止所述接觸孔穿過第一層間絕緣層；以及

形成互連接觸部，其中所述互連接觸部填充所述接觸孔。

8.如權利要求1的方法，其中形成第二鑲嵌溝槽的步驟包括：

形成具有非晶碳層及氮氧化硅SiON層的硬掩模于第二層間絕緣層上；以及

選擇性蝕刻通過所述硬掩模所暴露的第二層間絕緣層的部分。

9.如權利要求1的方法，其中形成位線的步驟包括：

形成導電層，其中所述導電層填充第一鑲嵌溝槽；

通過實施回蝕刻，在所述導電層上形成凹陷的凹部，以使所述位線的上表面比第二層間絕緣層的表面低；以及

形成位線覆蓋層，其中所述位線覆蓋層填充所述凹部，以覆蓋及保護所述位線的上表面。

10.如權利要求9的方法，其中形成第二鑲嵌溝槽的步驟包括：

形成單元開放掩模，其中所述單元開放掩模使在所述單元區中的第二層間絕緣層的部分暴露；

選擇性蝕刻通過所述單元開放掩模所暴露的第二層間絕緣層的部分及所述位線覆蓋層；

形成位線間隔物于通過第二層間絕緣層的所述部分所暴露的所述位線的側壁上；以及

選擇性蝕刻通過所述位線間隔物所暴露的第一層間絕緣層的部分。