[發明專利]半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010004021.2
• 申請日: 2010-01-14
• 公開（公告）號: CN101794734A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: G·M·格里瓦納
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于制造半導體元件的方法，包括如下步驟：

提供具有第一主表面和第二主表面以及具有主體區的半導體材 料；

在所述半導體材料中形成第一槽，所述笫一槽具有至少一個側 壁；

在所述第一槽的一部分中形成柵結構；

鄰近所述第一槽形成源區；

在所述半導體材料中形成第二槽，所述第二槽延伸穿過所述源區 的一部分并且具有側壁；

在所述第二槽中形成第一電介質材料層；

在所述第二槽的一部分中形成導電材料，在所述第二槽中所述導 電材料位于所述第一電介質材料層之上；

通過除去所述第二槽中的所述第一電介質材料層的一部分，在所 述半導體材料與所述第二槽的所述一部分中的所述導電材料之間形成 間隙；

在所述間隙中形成導電結構；以及

形成自對準的電連接，所述自對準的電連接與所述源區、所述半 導體材料、所述間隙中的所述導電結構以及所述第二槽的所述一部分 中的所述導電材料接觸以將所述第二槽中的導電材料與所述源區和所 述主體區電連接。

2.如權利要求1所述的方法，其中在所述第二槽的一部分中形 成導電材料包括：在所述第一電介質材料層上面形成多晶硅。

3.如權利要求2所述的方法，其中在所述間隙中形成導電結構 的步驟包括：在所述間隙中形成多晶硅。

4.如權利要求3所述的方法，其中用第一傳導類型的雜質材料 摻雜所述間隙中的多晶硅，并將所述雜質材料從所述間隙中的多晶硅 橫向擴散到所述半導體材料中。

5.如權利要求1所述的方法，還包括提高所述源區的一部分的 摻雜濃度，并且其中形成第二槽的步驟包括：穿過所述源區中摻雜濃 度提高了的所述部分而形成所述第二槽。

6.一種用于制造半導體元件的方法，其包括如下步驟：

提供半導體材料；

在所述半導體材料中形成第一槽；

在所述第一槽中形成柵結構；

在所述半導體材料的與所述第一槽相鄰的一部分中形成第一傳 導類型的摻雜區；

在所述摻雜區的一部分中形成源區；

鄰近所述第一槽形成場板，所述場板延伸到所述摻雜區中，其中 形成所述場板包括：

在所述半導體材料中形成第二槽，所述第二槽具有側壁；

在所述第二槽的所述側壁上面形成第一電介質材料層；和

在所述第二槽的所述側壁上面形成多晶硅；

使所述第一電介質材料層的一部分凹進去以形成間隙；

在所述間隙中形成導電材料；以及

形成與所述源區、所述半導體材料、所述間隙中的所述導電材料 以及所述場板接觸的自對準的電連接。

7.如權利要求6所述的方法，其中形成與所述源區、所述半導 體材料、所述間隙中的所述導電材料以及所述場板接觸的自對準的電 連接的步驟包括：將所述自對準的電連接形成為歐姆接觸。

8.如權利要求7所述的方法，在所述間隙中形成導電材料的步 驟包括：在所述間隙中形成多晶硅，并增加所述第一傳導類型的摻雜 區的濃度。