[發明專利]靜電卡盤裝置的修補方法和修補裝置、以及靜電卡盤裝置

有效

• 申請號: 201010003196.1
• 申請日: 2010-01-14
• 公開（公告）號: CN101783310A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發明（設計）人: 吉岡建;高橋秀一;佐佐木康晴
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及靜電卡盤裝置的修補方法和修補裝置、以及靜電卡盤 裝置。

背景技術

在制造IC芯片的產業領域等中，在對半導體晶片進行加工的工序 中，廣泛使用將半導體晶片固定在加工機的規定部位的卡盤裝置。作 為卡盤裝置，可以列舉機械式、真空式和靜電式的裝置。其中，靜電 式的卡盤裝置(靜電卡盤裝置)具有即使是不平坦的半導體晶片也能 夠牢固地吸附固定、并且處理簡便、在真空中也能使用的優點。

靜電卡盤裝置對由絕緣體夾持的內部電極施加電壓，利用由此產 生的靜電，吸附晶片等被吸附物。而且，利用內置于裝置內的加熱器 對吸附面(卡盤面)進行加熱，將晶片調節至希望的溫度，通過等離 子體蝕刻等進行晶片的加工。從對等離子體蝕刻的耐久性優異、且壽 命長的觀點出發，構成與晶片的吸附面的吸附層廣泛使用陶瓷板。

靜電卡盤裝置大多使用通過粘合劑將金屬底座與陶瓷板接合的結 構。然而，在這樣的靜電卡盤裝置中，在金屬底座和陶瓷板之間的粘 合劑層露出的側面部分，在晶片加工時受到等離子體的側蝕刻(side etching)而被侵蝕。這樣，一旦粘合劑層的外周部被侵蝕，在陶瓷板 的外周部和中央部，陶瓷板與金屬底座之間的熱傳導性就會有所不同。 因此，由于蝕刻而達到高溫的晶片的熱難以經由陶瓷板和粘合劑層從 金屬底座均勻地釋放，從而在晶片出現溫度斑并產生彎曲，不能進行 希望的蝕刻加工。

作為抑制粘合劑層的側面侵蝕的靜電卡盤裝置，公開了一種在粘 合劑層的側面設置有防止侵蝕絕緣物的靜電卡盤裝置(專利文獻1)

專利文獻1：日本特開2000-114358號公報

但是，在專利文獻1的靜電卡盤裝置中，有時不能充分抑制由于 等離子體引起的粘合劑層的侵蝕。

此外，在粘合劑層被侵蝕的情況下，可以考慮將溶于溶劑的液態 的粘合劑注入該被侵蝕的部分，通過熱壓處理修補粘合劑層的方法。 但是，采用該方法，由于溶劑揮發而導致在粘合劑層的修補部分產生 空隙，粘合劑層變得不均勻，因此，修補后的粘合劑層的熱傳導性也 變得不均勻。因此，在粘合劑層被侵蝕的情況下，即便陶瓷板不存在 問題，也要將粘合劑層和陶瓷板廢棄并更換新的部件。

如上所述，盡管陶瓷板本身耐久性優異、壽命長，但由于粘合劑 層的劣化而需要將其更換，因此不能完全發揮陶瓷板的特性。因此， 當粘合劑層的側面被侵蝕時，希望通過均勻地修補該粘合劑層，維持 靜電卡盤裝置的性能，從而不更換高價的陶瓷板而繼續使用，降低運 行成本。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種靜電卡盤裝置的修補方法、該 修補所使用的修補裝置、以及適用上述修補裝置和修補方法的靜電卡 盤裝置，該修補方法在靜電卡盤裝置的粘合劑層的側面被侵蝕時，能 夠均勻地修補該侵蝕部分。

本發明提供一種靜電卡盤裝置的修補方法，該靜電卡盤裝置在金 屬底座上至少具有粘合劑層和吸附層，該修補方法的特征在于：在被 侵蝕的粘合劑層的側面卷繞線狀的粘合劑后，進行熱壓處理。

此外，本發明的靜電卡盤裝置的修補方法優選上述線狀的粘合劑 為與上述粘合劑層相同的成分。

此外，優選上述粘合劑層和上述線狀的粘合劑包含丙烯酸橡膠和 熱固性樹脂。

此外，優選上述線狀的粘合劑的截面形狀為矩形。

此外，優選上述線狀的粘合劑的高度為上述粘合劑層的高度的1～ 2倍。

此外，優選在0.02～0.5MPa的條件下進行上述熱壓處理。

本發明還提供一種靜電卡盤裝置的修補裝置，其為上述修補方法 所使用的裝置，其包括：使上述靜電卡盤裝置旋轉的旋轉臺；和向上 述粘合劑層供給上述粘合劑的轉軸(bobbin)。

此外，優選本發明的靜電卡盤裝置的修補裝置還包括定位單元， 其在上述轉軸和上述粘合劑層之間確定上述粘合劑的位置。

此外，本發明提供一種靜電卡盤裝置，其在金屬底座上至少具有 粘合劑層和吸附層，其特征在于：在上述粘合劑層的側面卷繞線狀的 粘合劑。

發明效果