[發明專利]感應耦合等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201010003194.2
• 申請日: 2010-01-14
• 公開（公告）號: CN101795528A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 佐佐木和男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/00;C23C16/50
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種感應耦合等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

收容被處理基板，實施等離子體處理的處理室；

在所述處理室內載置被處理基板的載置臺；

向所述處理室內供給處理氣體的處理氣體供給系統；

對所述處理室內進行排氣的排氣系統；

在所述處理室內形成感應電場的高頻天線；和

向所述高頻天線供給高頻電力的第一高頻電源，

在所述高頻天線與所述處理室之間，形成有與構成所述處理室的 主體容器絕緣地形成的為非磁性體的導電性的金屬窗，

所述高頻天線生成從所述金屬窗的上表面至下表面進行循環的蝸 電流，

所述高頻天線為直線狀，

所述金屬窗是一塊板。

2.一種感應耦合等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

收容被處理基板，實施等離子體處理的處理室；

在所述處理室內載置被處理基板的載置臺；

向所述處理室內供給處理氣體的處理氣體供給系統；

對所述處理室內進行排氣的排氣系統；

在所述處理室內形成感應電場的高頻天線；和

向所述高頻天線供給高頻電力的第一高頻電源，

在所述高頻天線與所述處理室之間，形成有與構成所述處理室的 主體容器絕緣地形成的為非磁性體的導電性的金屬窗，

所述高頻天線生成從所述金屬窗的上表面至下表面進行循環的蝸 電流，

所述金屬窗在利用絕緣體相互絕緣的狀態下，被分割為多個，

所述高頻天線的平面形狀為蝸旋狀或環狀，所述金屬窗沿著從所 述蝸旋或環的中心向周邊放射狀地延伸的線被分割。

3.如權利要求2所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

在與所述載置臺相對的所述處理室壁面的形狀為矩形時，所述金 屬窗沿著從該矩形的中心連接各邊的中點的線被分割。

4.如權利要求2所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

在與所述載置臺相對的所述處理室壁面的形狀為矩形時，所述金 屬窗沿著從該矩形的中心連接各角的線被分割。

5.如權利要求1至4中任一項所述的感應耦合等離子體處理裝置， 其特征在于：

在所述金屬窗的表面形成有電介質膜。

6.如權利要求5所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電介質膜是陽極氧化膜、或噴鍍陶瓷制造。

7.如權利要求1或2所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征 在于：

在所述金屬窗的位于處理室側的表面，設置有電介質蓋。

8.如權利要求7所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述電介質蓋是石英制造、或陶瓷制造。

9.如權利要求1或2所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征 在于：

在所述金屬窗的表面，形成有電導率比構成該金屬窗的材料的電 導率高的、為非磁性體的導電性的膜。

10.如權利要求9所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征在 于：

所述為非磁性體的導電性的膜，在所述金屬窗的側面、和所述處 理室側表面形成為配線狀，以限定在所述處理室生成的感應電場的方 向。

11.如權利要求9所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征在 于：

所述金屬窗由鋁或包含鋁的合金構成，

所述為非磁性體的導電性的膜由銅或包含銅的合金，或者銀或包 含銀的合金構成。

12.如權利要求1或2所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征 在于：

包括向所述載置臺供給高頻電力的第二高頻電源，

所述金屬窗經由僅使所述第二高頻電源的高頻通過的濾波器接 地。

13.如權利要求1或2所述的感應耦合等離子體處理裝置，其特征 在于：

在所述金屬窗設置有溫度調節用流路。