[發明專利]連續生產線制備銅銦鎵硒軟體薄膜太陽能光電池的方法無效
| 申請號: | 201010003169.4 | 申請日: | 2010-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN101771105A | 公開(公告)日: | 2010-07-07 |
| 發明(設計)人: | 郭玉欽;李鐵強 | 申請(專利權)人: | 郭玉欽 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215131 江蘇省蘇州市蘇州相城經濟*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連續 生產線 制備 銅銦鎵硒 軟體 薄膜 太陽能 光電池 方法 | ||
1.一種連續生產線制備銅銦鎵硒軟體薄膜太陽能光電池的方法;它將清洗后的不銹鋼卷材在磁控濺射鍍膜成套生產線張力卷繞機(1)、(11),的拖動下展為帶材勻速通過真空隔離窄縫伐(15-1)進入等離子輝光放電真空室(2),進行清洗、通過真空隔離窄縫伐(15-2)進入真空濺鍍絕緣膜室(3),濺鍍TiO2絕緣膜、再通過真空隔離窄縫伐(15-3)進入真空濺鍍背電極室(4),濺鍍Cu-Mo背電極膜,再通過真空隔離窄縫伐(15-4)進入P結真空濺鍍室(5),濺鍍CIGS半導體P結吸收膜、再通過真空隔離窄縫伐(15-5)進入真空熱處理室(6),在300---600℃氮氣中進行熱處理、再通過真空隔離窄縫伐(15-6)進入真空冷卻室(7),在氮氣中冷卻250℃以下:再通過真空隔離窄縫伐,(15-7)進入n結真空濺射室(8),濺鍍InS或ZnS半導體n結膜、再通過真空隔離窄縫伐(15-8)進入真空濺鍍室(9),濺鍍I-ZnO過渡層膜:再通過真空隔離窄縫伐(15-9)進入真空濺鍍室(10),濺鍍AL:ZnO或ITO透明導電膜、由真空隔離窄縫伐封閉(15-10)、再隨機在已濺射膜后的帶箔上,鋪一隔層用的保護層,由后漲力卷繞機(11),卷繞為卷材;而后由剪切機(12),切為塊狀,再用超聲波焊機(13),焊接電極、并封裝EVA保護膜(14),即制完成了太陽能光電池組件:磁控濺射鍍膜成套設備生產線由真空泵抽為真空,送入工作氣體氬氣,由微抽分子泵保持工作壓力。磁控濺射鍍膜成套設備生產線在正常工作狀況下不破壞真空度。
2.根據權利要求書(1)所述的連續生產線制備銅銦鎵硒軟體薄膜太陽能光電池的方法;其特征是;濺鍍CIGS半導體P結吸收膜后的卷材帶箔、通過真空隔離窄縫伐(15-5)進入真空熱處理室(6),在300---600℃氮氣中進行熱處理、1-10分鐘替代了原來的硒化或硫化工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





