[發明專利]半導體元件有效
| 申請號： | 201010002186.6 | 申請日： | 2010-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN102130097A | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發明（設計）人： | 周冠佑;陳勇智 | 申請（專利權）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/00 | 分類號： | H01L25/00;H01L25/03 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 邱軍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，包含：
第一壓降部，提供第一壓降；
第二壓降部，提供第二壓降，并電連接該第一壓降部；以及
連接材料，位于該第一壓降部及該第二壓降部之間，且其物理尺度小于該第一壓降部與該第二壓降部中至少其一；
其中，該半導體元件可在總偏壓下工作，該總偏壓大于該第二壓降，該第二壓降大于或等于該第一壓降。
2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該連接材料的厚度大于該第一壓降部的厚度，小于該第二壓降部的厚度。
3.如權利要求1所述的半導體元件，其中該總偏壓為標準化電壓。
4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第二壓降部包含氧化部、低摻雜部、未摻雜部、及本質材料部中至少其一。
5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一壓降部的光電轉換效率優于該第二壓降部。
6.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一壓降部的發光效率大于75lm/W。
7.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一壓降部包含半導體產品的初級元件。
8.如權利要求1所述的半導體元件，其中該總偏壓符合電力線系統的電壓規格，該第一壓降部的發光效率大于75lm/W。
9.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一壓降提供藍光。
10.如權利要求1所述的半導體元件，其中該半導體元件提供白光。
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