[發明專利]半透射半反射式液晶顯示面板及其制作方法

無效

• 申請號: 201010002135.3
• 申請日: 2010-01-05
• 公開（公告）號: CN102116956A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 楊瑞賢;施博盛;蕭建智;胡憲堂;劉挺中
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 蹇煒

1.一種制作半透射半反射式液晶顯示面板的方法，包含有以下步驟：

提供陣列基板，所述陣列基板包含多個像素區，且各所述像素區包含元件區、透射區與反射區；

于所述陣列基板上形成第一金屬層；

圖案化所述第一金屬層，以于所述元件區內形成柵極電極，同時于所述反射區內形成多個金屬凸塊；

于所述陣列基板上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵極電極與所述多個金屬凸塊，且所述第一絕緣層藉由位于其下方的所述多個金屬凸塊而具有粗糙表面；

于所述元件區內的所述柵極電極上形成圖案化半導體層；

于所述反射區內形成反射層，且所述反射層覆蓋所述第一絕緣層并藉由位于其下方的所述第一絕緣層而具有粗糙表面；以及

于所述陣列基底上形成圖案化第二絕緣層與像素電極。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成所述反射層的步驟還包含：

于所述圖案化半導體層與所述第一絕緣層上形成第二金屬層；以及

圖案化所述第二金屬層，以于所述圖案化半導體層上形成源極/漏極，同時于所述反射區內形成所述反射層。

3.如權利要求2所述的方法，其中形成所述圖案化第二絕緣層與所述像素電極的步驟是于形成所述反射層的步驟后進行。

4.如權利要求1所述的方法，還包含于形成所述圖案化第二絕緣層與所述像素電極之前，先于所述圖案化半導體層上形成源極/漏極。

5.如權利要求4所述的方法，其中形成所述反射層的步驟還包含：

于所述圖案化第二絕緣層與所述像素電極上形成第三金屬層；以及

圖案化所述第三金屬層，以于所述反射區內的所述像素電極上形成所述反射層。

6.一種制作半透射半反射式液晶顯示面板的方法，包含有以下步驟：

提供陣列基板，所述陣列基板包含多個像素區，且各所述像素區包含元件區、透射區與反射區；

于所述陣列基板的所述元件區內形成柵極電極；

于所述陣列基板上依序形成第一絕緣層與圖案化半導體層；

圖案化所述第一絕緣層，以于所述反射區內形成多個凸塊；

于所述反射區內形成反射層，且所述反射層覆蓋所述多個凸塊且藉由位于其下方的所述多個凸塊而具有粗糙表面；以及

依序于所述陣列基底上形成圖案化第二絕緣層與像素電極。

7.如權利要求6所述的方法，其中形成所述反射層的步驟還包含：

于所述圖案化半導體層、所述第一絕緣層、與所述多個凸塊陣列基底上形成第一金屬層；以及

圖案化所述第一金屬層，以于所述元件區內的所述圖案化半導體層上形成源極/漏極，同時于所述反射區內形成所述反射層。

8.如權利要求7所述的方法，其中形成所述圖案化第二絕緣層與所述像素電極的步驟是于形成所述反射層的步驟后進行。

9.如權利要求6所述的方法，還包含于形成所述圖案化第二絕緣層與所述像素電極之前，先于所述圖案化半導體層上形成源極/漏極。

10.如權利要求9所述的方法，其中形成所述反射層的步驟還包含：

于所述圖案化第二絕緣層與所述像素電極上形成第二金屬層；以及

圖案化所述第二金屬層，以于所述反射區內的所述像素電極上形成所述反射層。

11.一種半透射半反射式液晶顯示面板，包含有：

陣列基板，所述陣列基板包含多個像素區，且各所述像素區具有元件區、透射區與反射區；

薄膜晶體管，形成于所述陣列基板的所述元件區內；

多個凸塊，形成于所述陣列基板的所述反射區內；

反射層，形成于所述陣列基板的所述反射區內，且覆蓋所述多個凸塊而具有粗糙表面；以及

像素電極，形成于所述陣列基板的所述透射區與所述反射區內，且電連接至所述薄膜晶體管。

12.如權利要求11所述的液晶顯示面板，其中所述薄膜晶體管還包含：

柵極電極；

第一絕緣層，覆蓋所述柵極電極；

圖案化半導體層，形成于所述第一絕緣層上；以及

第二金屬層，形成于所述圖案化半導體層上，用以作為所述薄膜晶體管的源極/漏極。

13.如權利要求12所述的液晶顯示面板，其中所述柵極電極與所述多個凸塊包含相同的金屬材料。