[發明專利]固態成像裝置和照相機

無效

• 申請號: 201010002110.3
• 申請日: 2010-01-05
• 公開（公告）號: CN101794798A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 約漢·雷涅
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/107;H04N5/225
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種固態成像裝置，包括：

雪崩光電二極管，具有包含n⁺區域、p⁺區域、以及介于n⁺區 域和p⁺區域之間的雪崩區域的結構，所有這些區域被形成為在半導 體基體的厚度方向上延伸；以及

重復地具有雪崩光電二極管的結構的像素，其中所述雪崩光電二 極管與鄰近的雪崩光電二極管共享n+區域或p+區域。

2.根據權利要求1所述的固態成像裝置，其中，在半導體基體 的一個主表面上形成互連層，并且使得光從半導體基體的另一個主表 面入射在光接收部分上。

3.根據權利要求1所述的固態成像裝置，其中，半導體基體由 硅形成。

4.根據權利要求1所述的固態成像裝置，其中，半導體基體由 從Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb和InSb中選擇的一種材料 形成。

5.根據權利要求1所述的固態成像裝置，其中，介于n⁺區域和 p⁺區域之間的雪崩區域的寬度在0.05μm至1μm的范圍內。

6.一種用于捕獲圖像的照相機，包括：

固態成像裝置，該固態成像裝置包含：雪崩光電二極管，該雪崩 光電二極管具有包含n⁺區域、p⁺區域、以及介于n⁺區域和p⁺區域 之間的雪崩區域的結構，所有這些區域被形成為在半導體基體的厚度 方向上延伸；以及重復地具有雪崩光電二極管的結構的像素，其中所 述雪崩光電二極管與鄰近的雪崩光電二極管共享n+區域或p+區域。